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S8MC-13-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:35:41 查看 阅读:13

S8MC-13-F是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅整流二极管阵列,采用SOT-23(SC-59)封装。该器件集成了两个独立的二极管,配置为共阴极结构,即两个二极管的阴极连接在一起并引出至公共引脚。这种设计特别适用于需要双通道整流或信号钳位的应用场景,尤其是在空间受限的高密度PCB布局中。S8MC-13-F广泛应用于消费电子、通信设备、电源管理模块以及各类便携式电子产品中。其小尺寸封装和高性能特性使其成为现代电子设计中的理想选择。该器件符合RoHS指令要求,并且通过了无铅认证,支持绿色环保制造工艺。此外,S8MC-13-F具有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适合在严苛工作条件下长期运行。

参数

类型:双二极管(共阴极)
  封装/外壳:SOT-23(SC-59)
  峰值反向电压(VRRM):70V
  最大正向平均电流(IF(AV)):200mA
  峰值浪涌电流(IFSM):1A
  最大反向漏电流(IR):5μA(最大值,@70V,25°C)
  正向电压(VF):1.0V(典型值,@10mA)、1.25V(最大值,@200mA)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  反向恢复时间(trr):4ns(典型值)
  热阻(JA):350°C/W(典型值,自由空气环境)

特性

S8MC-13-F的核心特性之一是其高速开关能力,反向恢复时间(trr)仅为4ns,这使得它非常适合用于高频整流和快速信号处理电路中。在开关电源、DC-DC转换器或脉冲宽度调制(PWM)控制电路中,快速的响应时间可以显著减少开关损耗,提高系统效率。同时,由于其低正向导通压降(VF),在10mA工作电流下典型值仅为1.0V,在200mA时也不超过1.25V,有效降低了功耗并提升了能源利用率。这对于电池供电设备尤其重要,有助于延长续航时间。
  该器件采用共阴极拓扑结构,允许两个输入信号共享同一个输出回路,常用于双通道信号整流、电压钳位保护、ESD抑制及逻辑电平转换等场合。例如,在I/O接口电路中,它可以防止负电压尖峰对后续CMOS芯片造成损害;在音频或数据线路中,可用于双向信号限幅以避免过压损坏。此外,SOT-23封装不仅体积小巧(约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm),而且具备良好的散热性能和机械稳定性,便于自动化贴片生产,适用于大规模SMT工艺。
  从可靠性角度看,S8MC-13-F的工作结温可达+150°C,表明其可在高温环境中稳定运行,适用于工业级甚至部分汽车电子应用。器件经过严格的品质控制流程,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环测试,确保长期使用的可靠性和一致性。其低漏电流特性(最大5μA @70V)也保证了在高阻抗电路中的信号完整性,避免因暗电流过大引起误触发或噪声干扰。总体而言,S8MC-13-F结合了小型化、高性能与高可靠性的优势,是现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

S8MC-13-F主要应用于便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等,用于内部电源轨的防倒灌保护或多个电压源之间的隔离。在这些设备中,多路电源(如主电池、USB供电、无线充电模块)可能同时存在,使用共阴极二极管阵列可以实现“或逻辑”供电选择,确保任一电源有效时系统都能正常工作,而不会发生电源倒灌现象。此外,它也被广泛用于各类适配器和充电器中的次级侧整流环节,特别是在低功率AC-DC或DC-DC电源模块中作为同步整流的辅助钳位器件。
  在通信接口电路中,S8MC-13-F常被用作ESD保护和瞬态电压抑制元件,保护敏感的IC引脚免受静电放电或雷击感应电压的影响。例如,在USB、HDMI、SD卡插槽等高速数据接口中,它可以将瞬态高压引导至地线,从而保护后端控制器。同时,由于其快速响应时间,不会对正常信号传输造成延迟或畸变。
  在工业控制系统中,该器件可用于传感器信号调理电路中的电平钳位,防止输入信号超出ADC或运算放大器的允许范围。另外,在LED驱动电路中,也可利用其单向导通特性实现电流路径控制或防止反向电压损伤LED灯珠。总之,S8MC-13-F凭借其紧凑封装和优异电气性能,已成为众多电子系统中实现电源管理、信号保护与电路隔离的关键组件。

替代型号

MBR0240T1G, BZT52C7, PMEG2005EH, MMBD1004

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