S8KC 时间：2025/9/6 12:01:14 阅读：28

S8KC 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电子设备中进行功率控制。该器件设计用于高效率、高可靠性和快速开关操作，适用于如 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制和负载开关等应用。S8KC 采用高密度沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和优异的热性能，能够在较高频率下稳定工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

S8KC MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件在 VGS=10V 时，RDS(on) 的典型值仅为 4.5mΩ，使其非常适合高电流应用。此外，S8KC 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了器件的开关性能，减少了开关损耗。
　　另一显著特性是其高耐压能力，最大漏源电压为 60V，适用于多种中高功率应用。S8KC 还具备良好的热管理能力，TO-252 封装形式有助于快速散热，确保在高负载条件下也能稳定运行。其最大功耗为 134W，在高温环境下仍能保持良好性能。
　　该 MOSFET 具有较高的抗过载能力，并能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内正常工作，适合在恶劣环境中使用。栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了控制电路的设计。

应用

S8KC 主要用于需要高效功率控制的应用领域。在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器和同步整流器，以提高能量转换效率。在工业自动化和电机控制应用中，S8KC 可用于 H 桥电路和负载开关，提供快速的开关响应和低功耗。此外，该器件还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统。
　　由于其高效率和良好的热性能，S8KC 也适用于高密度功率模块设计，例如用于通信设备的电源供应器和服务器电源。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、游戏机和大功率 LED 照明系统中，S8KC 可作为主开关器件，实现高效的功率管理。