时间：2025/8/16 2:08:02
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S8740180GT是一款高压、高频率MOSFET功率晶体管，适用于电源管理和转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的导通和开关性能，同时在高电压和高电流条件下保持稳定的工作状态。S8740180GT通常用于DC-DC转换器、AC-DC电源、负载开关以及电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：80A
漏源击穿电压：600V
栅源电压范围：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.18Ω
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
最大功率耗散：200W
S8740180GT具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提高系统效率。其高耐压能力确保了在高压应用中的可靠性，适用于需要高稳定性和高性能的电源设计。此外，该器件的封装设计有助于良好的热管理和散热性能，延长了使用寿命并提高了系统稳定性。S8740180GT还具有抗雪崩击穿能力，进一步增强了在极端条件下的耐受性。
S8740180GT广泛应用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、工业自动化设备、电机控制、电池充电器以及家用电器等需要高压、高频率开关的场合。此外，它也是太阳能逆变器和电动车充电系统中的理想选择，能够满足复杂环境下的高效能需求。
IXFH80N60P、STF80N60DM2、IRFP4668
