晶体管类型：PNP型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　最大功耗：300mW
　　频率响应：100MHz
　　增益带宽积：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

S8550D晶体管具有多个显著的特性，使其在电子电路设计中具有较高的实用性。
　　首先，其PNP结构提供了可靠的电流放大性能，能够满足大多数低功率放大需求。晶体管的最大集电极电流为100mA，可以支持一定范围的负载需求，同时其最大集电极-发射极电压为30V，使其在中等电压环境下能够稳定运行。
　　其次，S8550D采用TO-92封装形式，这种封装不仅体积小巧，便于安装在紧凑的电路板上，而且具有良好的散热性能，确保晶体管在长时间工作下依然保持稳定。最大功耗为300mW，使得该晶体管在低功耗应用场景中表现优异。
　　此外，S8550D晶体管的频率响应高达100MHz，增益带宽积同样为100MHz，这使其在高频应用中表现良好，适用于音频放大器和射频电路等场景。晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其能够在极端温度条件下正常运行，具有良好的环境适应性。
　　最后，S8550D晶体管的制造工艺成熟，质量稳定，价格低廉，因此在工业控制、消费电子和通信设备等领域得到了广泛应用。

S8550D晶体管的应用范围非常广泛。由于其良好的放大性能和开关特性，它常用于音频放大器中作为前置放大器或驱动级放大器。在数字逻辑电路中，S8550D可用于构建基本的逻辑门电路或作为开关元件，控制其他电子设备的运行。此外，它还可以用于电源控制电路中，作为电流调节和电压稳压的关键部件。在电子玩具、家用电器和小型电子设备中，S8550D晶体管也常被用作信号放大和开关控制。由于其高频特性，S8550D还适用于射频信号处理和无线通信设备中的相关电路设计。

BC557, 2N3906