晶体管类型：PNP型
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（具体取决于等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

S8550-TA D 200-300晶体管具有多项优异特性，使其在电子电路设计中备受青睐。首先，该晶体管的电流增益范围广泛（hFE为110至800），可根据不同应用场景选择合适等级，以满足电路对放大倍数的需求。其次，其低饱和压降（Vce_sat）特性在开关电路中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，S8550-TA D 200-300具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应各种复杂环境条件。该晶体管的TO-92封装设计不仅便于安装，还具有良好的散热性能，确保长时间运行的可靠性。最后，其最大功耗为300mW，适用于中低功率放大和开关控制应用，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

S8550-TA D 200-300晶体管主要应用于以下几类电子电路和系统中：首先，在音频放大电路中，该晶体管可用于前置放大或低频功率放大，提供清晰稳定的信号放大效果。其次，在开关电路中，如继电器驱动、LED驱动或马达控制，其低饱和压降和高可靠性可有效提升系统效率。此外，它还可用于传感器信号调理、逻辑电平转换以及各类控制电路中，满足不同应用场景对电流放大和开关控制的需求。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，S8550-TA D 200-300也常被应用于工业自动化设备、智能仪表和车载电子系统中。

BC557, 2N3906, A1015