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S8212 发布时间 时间:2025/9/12 14:27:51 查看 阅读:42

S8212 是一款由日本公司 Sanyo(三洋)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于各种电子设备中的功率开关和控制应用。这款 MOSFET 设计用于高效率和低导通损耗,适合需要快速开关和高电流承载能力的场景。S8212 采用 TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的散热性能,适合在中高功率应用中使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电压(Vds):20V
  最大漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):约 25mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V 至 2.5V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

S8212 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得在导通状态下功率损耗极低,提高了系统的整体效率。该特性对于需要高效能和低热量生成的应用尤其重要。
  S8212 还具有较高的电流承载能力,额定漏极电流为 6A,使其适用于多种功率控制场景。此外,其栅极阈值电压范围较宽(1.0V 至 2.5V),允许在不同驱动条件下灵活使用。
  该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,能够有效管理工作时的热量积累,从而提高可靠性和寿命。
  S8212 的设计使其在高频开关应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用场景。

应用

S8212 主要应用于需要高效功率开关和低导通损耗的电子设备中。常见的应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制电路以及各种负载开关电路。
  在电源管理应用中,S8212 可用于调节和分配电力,确保设备在高效和安全的状态下运行。在 DC-DC 转换器中,它能够实现高效的电压转换,满足不同电路模块的供电需求。
  此外,S8212 也广泛用于电池供电设备,如便携式电子产品和电动工具中,以延长电池寿命并提高系统效率。其高电流承载能力和低导通电阻也使其适用于电机控制应用,例如在小型电动车辆或自动化设备中控制电机的运行。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, IRF7404

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