型号：S8055N
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：55V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　最大功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤6.5mΩ @ Vgs=10V, Id=25A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤8.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=25A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3300pF @ Vds=25V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约900pF
　　反向恢复时间（trr）：无（属于MOSFET，无体二极管快速恢复特性）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-PAK）

S8055N采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具有极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统整体能效。其Rds(on)典型值在Vgs=10V时仅为6.5mΩ，即便在较低的驱动电压如4.5V下也能保持低于8.5mΩ的水平，这意味着它可以在多种电源电压条件下稳定工作，兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路。这种低Rds(on)特性特别适用于电池供电设备中的负载开关或H桥驱动电路，有助于延长电池寿命并减少发热。
　　该器件具备较高的电流承载能力，在良好散热条件下可支持高达50A的连续漏极电流，并能承受峰值达200A的脉冲电流，适用于瞬态负载较大的应用场景，如电机启动或电容充电过程。同时，S8055N拥有良好的热稳定性，其最大功耗可达125W（在壳温25℃时），结合TO-252封装的优良散热设计，能够在持续高负载运行中保持可靠性能。
　　此外，S8055N的栅极电荷量较低，输入电容约为3300pF，使得其开关速度较快，开关损耗较小，适合用于高频开关电源或同步整流电路。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了在不同驱动条件下都能实现充分导通，避免因驱动不足导致的非饱和工作状态。器件还具备较强的抗静电能力（ESD保护）和过压耐受性，栅源间最大允许电压为±20V，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　总体而言，S8055N凭借其高性能参数、稳定的制造工艺和合理的成本定位，成为中低压功率开关领域的优选器件之一。其可靠性经过工业级测试验证，符合RoHS环保要求，适用于自动化生产中的回流焊工艺，满足现代电子产品对小型化、高效化和绿色制造的需求。

S8055N广泛应用于各类需要高效、大电流开关控制的电子系统中。在电源管理系统中，常被用作DC-DC降压或升压变换器中的主开关管或同步整流管，利用其低导通电阻和快速响应特性提升转换效率。在电池供电设备如便携式仪器、电动工具和移动储能装置中，S8055N可用于电池充放电控制电路或作为负载开关，实现对后级电路的通断管理，防止过流或短路损坏。
　　在电机驱动领域，该器件适用于直流有刷电机的H桥驱动电路，能够承受电机启停时的大电流冲击，并通过PWM调速实现精确控制。由于其高电流能力和良好的热性能，也常见于风扇驱动、继电器驱动和电磁阀控制等工业控制模块中。
　　此外，S8055N还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源等功率转换设备中，作为主功率开关元件。在消费类电子产品如电视、显示器、路由器等的主板电源部分，也常用于多相供电结构中的功率级开关。其TO-252封装形式支持自动贴片装配，适用于大规模生产，提升了产品的一致性和可靠性。

IRF1404ZPBF
　　STP55NF06L
　　AO4407