类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在25°C）
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.015Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

S803N-C100具有多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高电源转换效率至关重要。例如，在Vgs=10V时，Rds(on)的最大值仅为0.015Ω，这意味着在80A的漏极电流下，导通压降仅为1.2V，对应的功率损耗为96W，这对于高电流应用来说是非常低的损耗。
　　其次，该MOSFET具备高电流承载能力，能够在连续工作条件下承受高达80A的漏极电流。这种高电流能力使得S803N-C100非常适合用于需要大功率输出的应用场景，如电动汽车的电池管理系统、工业电机驱动器和高性能电源供应器。
　　此外，S803N-C100采用了TO-252（DPAK）封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB板上安装和焊接。封装内部的铜引线框架设计有助于进一步降低内部电阻，提升整体的热管理和电气性能。
　　该器件还具备优异的开关性能，具有快速的导通和关断时间，从而减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频开关应用（如开关电源和逆变器）尤为重要，因为它可以有效降低开关损耗并提高系统效率。
　　最后，S803N-C100的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在极端环境条件下可靠工作。这种宽温度范围的适应性使得该MOSFET在汽车电子、航空航天和工业自动化等领域中表现出色。

S803N-C100由于其优异的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于构建高效的DC-DC转换器和AC-DC电源模块，特别是在需要高效率和高电流输出的场合，如服务器电源、通信设备电源和LED照明驱动器。
　　在电机控制领域，S803N-C100可用于构建H桥电路，驱动直流电机或步进电机，广泛应用于工业自动化设备、机器人和电动工具中。其高电流承载能力和快速开关特性使得电机控制更加精确和高效。
　　在汽车电子领域，S803N-C100适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。其宽工作温度范围和高可靠性确保了在恶劣的汽车环境中稳定运行。
　　此外，S803N-C100还可用于构建高效的负载开关，用于控制高功率负载的开启和关闭，如加热元件、照明系统和风扇等。在这些应用中，该MOSFET能够提供快速的响应时间和低导通损耗，从而提高系统的整体性能和能效。

SiHF80N100E、IRF1405、STP80NF10、FDP80N10