类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：650V
　　连续漏极电流ID（25℃）：7A
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：典型值0.95Ω（最大值1.2Ω）@VGS=10V
　　阈值电压Vth：2~4V
　　输入电容Ciss：典型值1100pF@VDS=25V
　　输出电容Coss：典型值260pF@VDS=25V
　　反向恢复时间trr：典型值45ns
　　最大结温Tj：150℃
　　封装形式：TO-247

S8025RTP具备优异的开关特性和导通性能，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下，典型值仅为0.95Ω，最大不超过1.2Ω，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。该器件的高耐压能力达到650V，使其能够广泛应用于离线式反激变换器、AC-DC适配器等高压工作环境，同时具备足够的电压裕量以应对瞬时过压情况，增强了系统运行的稳定性与安全性。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有较大的芯片面积和良好的热传导路径，有利于热量快速散发，从而延长器件寿命并提升长期工作的可靠性。其热阻RθJC（结到壳）较低，配合合适的散热设计可实现高效的热管理。此外，S8025RTP具备较强的抗雪崩能力，意味着其在遭遇电压尖峰或能量冲击时仍能保持结构完整，避免发生永久性损坏，这一特性对于电源启动、负载突变或线路异常等极端工况尤为重要。
　　在动态性能方面，S8025RTP拥有合理的寄生电容参数，如输入电容Ciss约为1100pF，输出电容Coss约为260pF，在保证足够驱动能力的同时，不会显著增加驱动电路的负担。其反向恢复时间trr典型值为45ns，配合快速恢复二极管或连续导通模式下的控制器，可以实现较高的开关频率，进一步缩小磁性元件体积，提升电源功率密度。此外，该器件的阈值电压范围为2~4V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器直接连接，简化外围电路设计。
　　S8025RTP还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，能够在快速电压变化环境下保持稳定工作，防止误触发或振荡现象的发生。其栅氧层经过优化设计，提高了栅极的耐用性，支持长时间高频开关操作而不易老化。综合来看，S8025RTP在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，适用于对性价比要求较高的消费类电子产品电源模块。

S8025RTP广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，典型应用场景包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源、智能家居设备供电模块以及工业控制用辅助电源等。由于其具备650V高耐压和7A额定电流能力，常被用于反激式（Flyback）拓扑结构中作为主开关管，配合电流模式PWM控制器实现稳定的电压输出调节。此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式降压或升降压电路中，能够高效地完成能量转换任务，满足照明产品对高效率和长寿命的要求。
　　在家电领域，S8025RTP可用于微波炉、空调、洗衣机等设备的待机电源或辅助电源部分，提供稳定可靠的低压直流输出。其高能效特性有助于满足日益严格的能源法规标准，如Energy Star、EuP Lot6等。在通信设备中，该MOSFET也可用于PoE（Power over Ethernet）受电端的DC-DC转换环节，保障网络终端设备的持续供电。
　　由于其TO-247封装具备良好的散热性能，S8025RTP还能胜任一些对功率密度有一定要求的小型化电源设计，例如壁挂式电源模块、嵌入式电源板卡等。同时，因其具备较强的抗干扰能力和环境适应性，也可应用于电磁环境较复杂的工业现场或户外设备中。总体而言，S8025RTP凭借其高性能指标和成熟的技术平台，已成为众多电源设计师在中低端市场中的主流选择之一。

K25T65、FQPF25N65C、STP6NC65FD、FSCQ25N65L