型号：S8025R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压Vds：650V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：3.5A
　　脉冲漏极电流Idm：14A
　　栅源电压Vgs：±30V
　　导通电阻Rds(on)：典型值2.5Ω（最大值3.0Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压Vgs(th)：典型值3.0V（范围2.0~4.0V）
　　功耗Pd：50W（TO-252封装）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

S8025R具备出色的电气性能和热稳定性，其650V的高漏源击穿电压使其能够胜任高压应用场景，尤其适用于离线式反激变换器等直接连接市电整流后的电路结构。在实际应用中，即使面对电网波动或瞬态过压情况，该器件也能保持稳定运行而不易损坏。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源转换效率，并减少了对散热系统的依赖。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使器件在高频开关条件下仍能实现快速响应，减小了开关延迟和驱动功耗，特别适合用于工作频率在几十kHz至百kHz级别的开关电源设计。
　　S8025R采用了先进的平面场效应晶体管工艺，在保证高性能的同时也兼顾了成本控制，使其在性价比方面表现出色。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度和焊接可靠性，还具备较强的散热能力，通过PCB铺铜即可实现有效的热管理，无需额外添加复杂的散热装置。器件内部结构经过优化设计，具有较高的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，能够在突发负载变化或短路故障初期维持一定时间的正常工作，为外部保护电路的动作争取宝贵时间。
　　此外，S8025R符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其广泛的工作温度范围（-55℃ ~ +150℃）使其可在恶劣环境条件下可靠运行，适用于工业控制、家电电源、照明系统等多种领域。由于其参数特性与国际主流厂商同类产品高度兼容，因此可作为多款进口MOSFET的国产替代方案，助力本土化供应链建设。总体而言，S8025R是一款集高性能、高可靠性与高性价比于一体的功率MOSFET器件，适用于多样化的小功率电力电子应用场合。

S8025R主要应用于小功率开关模式电源（SMPS），包括手机充电器、小型AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、家用电器内置电源模块等。它也常用于DC-DC升压或降压转换电路中作为主控开关管使用，尤其在基于PWM控制器的反激式（Flyback）拓扑结构中表现优异。此外，该器件还可用于电机控制电路、电磁阀驱动、继电器驱动等需要高压侧开关控制的场合。由于其具备良好的动态响应能力和较高的耐压水平，也被广泛应用于光伏逆变器辅助电源、智能电表电源单元以及物联网设备的待机电源管理模块中。在工业自动化控制系统中，S8025R可用于隔离驱动电路中的功率切换元件，提供稳定可靠的电能控制功能。其紧凑的TO-252封装形式使其非常适合空间受限的应用场景，同时便于实现自动化生产和维修替换。

FQP6N60L
　　KSC2690
　　STP3NK60ZFP