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S70GL02GS11FHV023 发布时间 时间:2025/12/25 23:21:43 查看 阅读:11

S70GL02GS11FHV023是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,属于其SEMPER?系列产品线。该器件专为需要高可靠性和长期数据保持能力的工业、汽车和通信应用而设计。S70GL02GS11FHV023提供2Gb(256MB)的存储容量,采用标准的SPI和QSPI接口,支持多种工作模式,包括单I/O、双I/O和四I/O操作,从而实现灵活的数据传输速率与系统兼容性。该芯片符合AEC-Q100汽车级认证标准,并具备优异的抗干扰能力和宽温度范围工作性能,适用于严苛环境下的嵌入式系统。其设计重点在于确保在电源波动、电磁干扰和极端温度条件下仍能保持数据完整性与系统稳定性,满足功能安全(如ISO 26262)相关应用的需求。此外,该器件集成了先进的错误检测与纠正机制(ECC)、写保护功能以及硬件/软件复位控制,进一步提升了系统的可靠性与可维护性。S70GL02GS11FHV023采用65nm MirrorBit工艺制造,不仅提高了存储密度,还显著降低了功耗,尤其在待机和深度掉电模式下电流消耗极低,适合对能效有严格要求的应用场景。

参数

品牌:Infineon Technologies
  产品系列:SEMPER?
  存储容量:2 Gb
  接口类型:SPI, QSPI
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:16-pin SOIC
  时钟频率:110 MHz
  读取延迟:典型值8 ns
  编程时间:典型值3.2 ms/sector
  擦除时间:典型值350 ms/block
  数据保持期:10年(典型值)
  耐久性:100,000 次编程/擦除周期
  JEDEC标准:符合JESD22-A117湿度敏感度等级3
  引脚数:16
  安装类型:表面贴装型

特性

S70GL02GS11FHV023具备多项先进特性,使其成为高可靠性应用中的理想选择。首先,该器件支持全面的错误检测与纠正机制(ECC),能够在读取过程中实时识别并修正单比特错误,同时检测多比特错误,从而防止因位翻转或辐射引起的软错误导致系统故障。这一特性对于运行在强电磁干扰或高空辐射环境中的设备至关重要。
  其次,该芯片内置硬件和软件写保护功能,支持按扇区、块或整片锁定,有效防止意外或恶意写入操作,保障关键固件的安全性。它还具备上电复位(Power-on Reset)和掉电检测电路,在电源不稳定或突然断电时自动进入安全状态,避免部分写入造成数据损坏。
  再者,S70GL02GS11FHV023支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,其中深度掉电模式下的电流消耗可低至1μA以下,极大延长了电池供电系统的续航时间。同时,其快速唤醒时间(通常小于10μs)确保系统能够迅速恢复运行,不影响整体响应性能。
  此外,该器件具有卓越的长期数据保持能力,在最高工作温度+125°C下仍能保证长达10年的数据保存,远超一般商业级闪存的标准。其耐久性高达10万次编程/擦除周期,适用于频繁更新配置信息或日志记录的应用场景。
  最后,S70GL02GS11FHV023支持双quad SPI模式(Dual Quad SPI),允许两个独立的SPI主控同时访问同一颗闪存,提升系统冗余性和容错能力,特别适用于安全关键型系统如ADAS、工业PLC和医疗设备中。所有这些特性共同构成了一个高度可靠、安全且高效的非易失性存储解决方案。

应用

S70GL02GS11FHV023广泛应用于对可靠性和安全性要求极高的领域。在汽车电子方面,它常用于高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示模块以及域控制器中,用于存储操作系统映像、校准参数和安全相关的固件代码。由于其通过AEC-Q100认证并支持功能安全标准,因此非常适合部署在符合ISO 26262 ASIL-B甚至更高等级要求的系统中。
  在工业自动化领域,该芯片被集成于可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)、远程终端单元(RTU)和工业网关中,承担固件存储、配置备份和事件日志记录任务。其宽温工作范围和抗干扰能力确保在工厂恶劣环境中稳定运行。
  通信基础设施也是其重要应用场景之一,包括5G基站、光传输设备和路由器等,用于存放启动代码(Boot Code)和配置文件,确保设备在重启后能快速、可靠地加载程序。
  此外,在医疗设备如病人监护仪、成像系统和便携式诊断工具中,S70GL02GS11FHV023用于存储关键的算法程序和患者数据,其高数据完整性和长期稳定性满足医疗行业严格的合规性要求。
  航空航天与国防系统同样依赖此类高可靠性闪存,用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和任务计算机中,以应对极端温度变化和辐射环境带来的挑战。综上所述,S70GL02GS11FHV023凭借其出色的性能和可靠性,已成为多个高端市场的首选存储解决方案。

替代型号

S70GL02GS11FHV123
  S70GL02GS11BAHV023
  S95HS02G-SFDV1G

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S70GL02GS11FHV023参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,600 : ¥210.35442卷带(TR)
  • 系列GL-S
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(13x11)