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S513N 发布时间 时间:2025/8/20 18:58:10 查看 阅读:15

S513N 是一款常见的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路、马达驱动、DC-DC转换器等电子电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和良好的热稳定性,适用于高效能、高频开关应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):5.6A
  导通电阻(Rds(on)):约0.45Ω(典型值)
  功率耗散(Pd):30W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

S513N MOSFET具备多项优异特性,适用于多种功率控制场合。首先,其最大漏源电压为100V,使其能够在较高电压下稳定工作,适用于中高压电源转换系统。其次,该器件的最大连续漏极电流为5.6A,支持中等功率负载的驱动能力,如继电器、小型马达和LED照明系统。此外,S513N的导通电阻约为0.45Ω,降低了导通损耗,提高了系统效率。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,能够在较高功率条件下保持稳定工作。栅极驱动电压范围宽,支持3V至20V的栅极驱动电压,兼容多种控制电路(如微控制器和驱动IC)。S513N还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够在恶劣工作条件下提供可靠性能。此外,该MOSFET的开关速度快,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、PWM控制电路和电源管理系统。

应用

S513N MOSFET主要应用于各类功率电子设备中。在电源管理系统中,它常用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。在工业控制领域,S513N可用于PLC输出模块、继电器替代和马达驱动电路。此外,该器件也适用于消费类电子产品,如充电器、LED驱动电路和电源适配器。在汽车电子系统中,S513N可用于车灯控制、电动窗驱动和车载电源管理模块。由于其良好的热稳定性和高可靠性,S513N也常用于需要长时间连续工作的工业设备和自动化控制系统。

替代型号

IRFZ44N, FDPF5N50, STP55NF06, IRLZ44N