时间：2025/7/31 4:59:51
阅读：8
S50VB80 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET晶体管，主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于电源转换、电机控制、照明系统以及各种需要高能效和高性能功率管理的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω（具体数值可能因温度和电流条件而异）
栅极电荷（Qg）：约20nC
最大功耗（Ptot）：约50W
封装类型：TO-220 或 D2PAK（取决于具体子型号）
S50VB80 的核心优势在于其高效的功率处理能力以及较低的导通损耗。该器件设计用于在高电压条件下仍能保持良好的导通性能，同时最大限度地减少能量损耗。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用。
此外，S50VB80 采用了先进的高压技术，能够在500V的漏源电压下稳定工作，具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力。这种设计不仅提高了器件的可靠性，还延长了其在恶劣工作环境下的使用寿命。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，结合其低导通电阻和封装散热性能，使其在高功率密度应用中表现出色。适用于工业电源、家电控制、智能电表、电动工具和LED照明驱动等需要高效功率管理的领域。
S50VB80 常用于各类高电压、中等功率的电子系统中。典型应用包括开关电源（如适配器、充电器）、LED照明驱动电路、电机控制模块、工业自动化设备以及家用电器中的功率开关。此外，它也适用于太阳能逆变器、电池管理系统和智能电网设备等新能源相关应用。
STP8NM50N、FQA8N50C、IRFGB40N
