类型：肖特基势垒二极管阵列
　　二极管配置：4 个独立二极管
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　最大重复峰值反向电压 (VRRM)：40 V
　　最大直流阻断电压 (VR)：40 V
　　平均整流电流 (Io)：300 mA
　　峰值浪涌电流 (IFSM)：1.25 A
　　正向压降 (VF)：典型值 0.38 V（在 10 mA 下），最大值 0.6 V（在 300 mA 下）
　　反向漏电流 (IR)：最大 10 μA（在 40 V 和 25°C 下）
　　反向恢复时间 (trr)：≤ 4 ns
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　热电阻 结到环境 (RθJA)：350 °C/W
　　热电阻 结到引线 (RθJL)：175 °C/W

S4P-VH 的核心优势之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的 PN 结，显著降低了正向导通电压，通常在 0.38 V 左右（10 mA 条件下），即使在大电流条件下（如 300 mA）也能保持低于 0.6 V 的压降。这一特性极大地减少了功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于低电压供电系统，如 USB 接口电源管理、电池供电设备以及嵌入式微控制器系统的电源路径控制。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr ≤ 4 ns），远优于普通硅二极管（通常在数百纳秒级别）。这使得 S4P-VH 在高频开关应用中表现出色，能够有效抑制因反向恢复电荷引起的开关噪声和能量损耗，提升整体系统稳定性。因此，它常被用于高频整流、开关电源中的续流/箝位二极管、以及高速数据线路的瞬态电压抑制。
　　该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装，仅占约 2.8 mm × 1.9 mm 的 PCB 面积，非常适合高密度布局的现代电子产品。四个独立二极管的设计提供了极大的电路设计灵活性，可用于构建 OR-ing 电路、电平移位器、输入保护网络或多通道信号整形电路。此外，其较低的结电容（典型值约 30 pF）有助于减少对高频信号路径的干扰，使其适用于射频前端模块或高速数字接口的静电放电（ESD）防护。
　　S4P-VH 还具备良好的热性能和长期可靠性，在正常工作条件下可稳定运行于 -55°C 至 +125°C 的结温范围内，适应严苛的工业与汽车电子环境。其封装材料具有优异的抗湿性和机械强度，通过了 JEDEC 标准的可靠性测试，确保在自动装配过程中的良率和长期服役中的稳定性。

S4P-VH 广泛应用于各类需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。在消费类电子产品中，常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备的电源管理单元，用于电池充放电路径的隔离与极性保护。在通信设备中，它被用于 USB、HDMI、RS-232 等接口的 ESD 保护和信号整流，防止外部静电或电压反接损坏主控芯片。
　　在工业控制系统中，S4P-VH 可作为继电器驱动电路中的续流二极管，吸收感性负载断开时产生的反向电动势，保护晶体管或 MOSFET 开关器件。同时，它也适用于传感器信号调理电路中的钳位与限幅，确保输入信号不超出 ADC 或运算放大器的允许范围。
　　在便携式医疗设备、物联网终端节点和无线模块中，由于其低功耗特性，S4P-VH 常用于能量采集系统中的整流桥，将微弱交流信号转换为直流以供储能元件充电。此外，在 LED 驱动电路中，它可以作为防倒灌二极管，防止电流反向流动导致 LED 误点亮或损坏。
　　由于其四个独立二极管的结构，S4P-VH 还可用于构建多路逻辑“或”门电源冗余系统（Power OR-ing），在双电源供电系统中实现无缝切换，保障系统持续运行。其高频响应能力也使其适用于射频识别（RFID）读写器、蓝牙和 Wi-Fi 模块中的信号检测与解调电路。

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　　 "BAT54S",
　　 "BAS40-04",
　　 "NSR03F30NXT5G",
　　 "RB751S40",
　　 "DMN2040U",
　　 "AO3401A"
　　]