您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > S4N01

S4N01 发布时间 时间:2025/9/3 16:53:48 查看 阅读:8

S4N01是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术,具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于各种电力电子设备。S4N011属于N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统中。其封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于散热和安装,同时具备良好的电气性能和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):4.4A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.75Ω
  栅极电荷(Qg):23nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

S4N01具有多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于多种高压系统,如开关电源和电机驱动器。其次,低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。此外,该MOSFET具备较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,从而提高开关频率下的性能。S4N01还具有优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,适用于工业级应用。其封装设计有助于有效的热量散发,确保长时间工作的可靠性。最后,S4N01具备良好的短路耐受能力,增强了器件在极端条件下的稳定性,适用于要求较高的应用场合。
  此外,S4N01的驱动特性也十分优秀,能够与常见的MOSFET驱动器兼容,降低了设计复杂性并提高了系统集成度。其栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准的10V或12V驱动信号,进一步增强了灵活性。该器件还具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力,有助于减少外部干扰对系统性能的影响。在保护方面,S4N01具备过温保护和过流保护功能,确保在异常工作条件下的安全性。这些特性使得S4N01在众多高功率应用中成为一种可靠且高效的选择。

应用

S4N01广泛应用于各种高功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、照明系统(如LED驱动器)以及工业自动化设备。在开关电源中,S4N01用于高效能的功率转换,提供稳定的电压和电流输出。在DC-DC转换器中,它作为主开关元件,实现高效的能量转换。在电机驱动应用中,S4N01用于控制电机的速度和方向,确保平稳运行并减少能耗。此外,它还可用于逆变器、光伏逆变器和电池管理系统等新能源应用。由于其高耐压和良好的热管理能力,S4N01在工业控制系统中也广泛使用,适用于自动化设备、工业机器人和智能电网系统。

替代型号

STP6NK60Z, FQP6N60, IRFBC40, 2SK2142

S4N01推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价