型号：S4040NQ2TP
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：40V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：40A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：160A
　　导通电阻RDS(on)：8.5mΩ（@ VGS=10V, ID=20A）
　　导通电阻RDS(on)：11mΩ（@ VGS=4.5V, ID=20A）
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.2V ~ 2.3V
　　栅极电荷Qg（总）：27nC（@ VGS=10V）
　　输入电容Ciss：2290pF（@ VDS=20V）
　　反向恢复时间trr：29ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerDI5060-6L

S4040NQ2TP采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提升系统能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为8.5mΩ，在VGS=4.5V时为11mΩ，表明该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能保持优异的导通性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg仅为27nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少开关损耗，特别适合高频工作的DC-DC变换器和同步整流电路。同时，较低的输入电容（Ciss=2290pF）进一步提升了其高频响应能力，减少了不必要的动态功耗。
　　PowerDI5060-6L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优异的散热性能，通过底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升热稳定性与长期可靠性。这种封装形式适用于自动化贴装工艺，提高了生产效率和一致性。
　　器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达40A（在理想散热条件下），脉冲电流高达160A，使其能够应对瞬态高负载工况，如电机启动或负载突变。此外，其栅极阈值电压范围合理（1.2V~2.3V），确保了开启的一致性和稳定性，避免误触发。
　　S4040NQ2TP还具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD保护设计，增强了在恶劣工作环境下的耐受性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持工业级和汽车级应用需求，适用于高温环境下的长期稳定运行。

S4040NQ2TP广泛应用于各类高效率、小体积的电源管理系统中。典型应用包括同步降压转换器中的低边开关或高边开关，尤其在多相VRM（电压调节模块）中作为主功率开关使用，提供高效稳定的电压输出。由于其低RDS(on)和高电流能力，也常用于电池供电设备中的负载开关，控制电源路径通断，减少待机功耗。
　　在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该MOSFET可用于电池充放电管理电路，实现双向电流控制和过流保护功能。此外，在电机驱动电路中，S4040NQ2TP可作为H桥结构中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和低发热表现。
　　该器件也适用于服务器电源、通信设备电源模块、LED驱动电源以及DC-DC模块电源等工业电源领域。其高频开关特性使其成为软开关拓扑（如LLC谐振转换器）中辅助开关的理想选择。在热插拔控制器电路中，S4040NQ2TP可用于缓启动和浪涌电流限制，保护后级电路免受冲击。
　　得益于其小型化封装和高功率密度特性，S4040NQ2TP非常适合空间受限但要求高性能的应用场景。同时，其符合AEC-Q101可靠性标准的可能性（需查证具体批次），使其在车载信息娱乐系统、车身控制模块等汽车电子应用中也具有一定潜力。

DMG4040SSS-13
　　BSS84ALT1G
　　FDD4040NS