型号：S4016RTP
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：16 A（在TC = 25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = 10 V：4.7 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = 4.5 V：6.8 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = 2.5 V：10.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.4 V，范围1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值19 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：典型值900 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：典型值280 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值10 ns
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.8 °C/W
　　热阻结到环境（RθJA）：约45 °C/W

S4016RTP采用Vishay先进的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现了卓越的品质因数（Figure of Merit, FOM），即RDS(on) × Qg，这对于高频开关电源应用至关重要。该器件在VGS = 10 V时RDS(on)低至4.7 mΩ，在VGS = 4.5 V时仍可保持6.8 mΩ的低阻值，表明其在低电压逻辑驱动条件下仍具备出色的导通性能，适用于由3.3 V或5 V控制器直接驱动的同步整流拓扑。此外，其在2.5 V驱动电压下仍能有效导通，支持低压启动和节能模式操作。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg ≈ 19 nC），有助于减少驱动损耗并提升系统整体效率，尤其在高频率PWM控制中优势明显。器件的电容特性经过优化，Ciss约为900 pF，Coss为280 pF，Crss较小，有助于抑制开关过程中的振铃现象，提高EMI性能。S4016RTP具备快速的体二极管反向恢复特性，trr仅为10 ns，降低了在桥式电路中因反向恢复引起的开关损耗和电流尖峰风险，提升了系统可靠性。PowerPAK SO-8L封装采用底部散热焊盘设计，能够有效将热量传导至PCB，实现良好的热管理，即使在紧凑布局下也能维持稳定工作温度。该封装无引脚，减少了寄生电感，有利于高速开关操作。器件通过AEC-Q101认证的部分型号可用于汽车电子，但需确认具体批次。此外，S4016RTP具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性。其稳定的阈值电压特性和低温漂系数确保了在宽温度范围内的一致开关行为，避免误触发或延迟导通问题。综合来看，S4016RTP是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率和小型化的现代电源设计。
　　

S4016RTP广泛应用于多种中等功率电源系统中，尤其适用于需要高效率和高开关频率的场景。常见应用包括同步降压转换器（Buck Converter），作为上管或下管使用，因其低RDS(on)和低Qg特性可显著提升转换效率，常用于主板VRM、显卡供电及多相电源模块。在DC-DC模块电源中，该器件用于初级侧开关或次级侧同步整流，有助于减小体积并提高功率密度。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，S4016RTP用于电池电源切换、负载开关控制和电源路径管理，其低静态损耗有助于延长待机时间。在电机驱动电路中，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，该MOSFET提供高效的双向电流控制能力。此外，它也适用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代、冗余电源切换等高可用性系统。在LED驱动电源中，可用于恒流调节拓扑中的开关元件。由于其良好的热性能和小型封装，特别适合高密度印刷电路板布局，如通信设备、服务器电源单元、工业控制板卡以及消费类适配器。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源、车灯驱动等非牵引类应用。其高频响应能力也使其适用于无线充电发射端的功率开关。总之，S4016RTP凭借其优异的电气性能和紧凑封装，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。
　　

SiSS16DN-T1-GE3,SZ4416EUDM8-TF,IRLHS6276TRPBF,FDMS7680