型号：S4008VS2TP
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-6L
　　通道数：1
　　额定电压（VDS）：-30V
　　额定电流（ID）：-5.6A（TC=70°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = -10V；40mΩ @ VGS = -4.5V；50mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　最大功耗（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值9.5nC @ VDS = -15V, ID = -2.8A
　　输入电容（Ciss）：典型值420pF @ VDS = -15V
　　开关时间（开启/关闭）：典型值15ns / 25ns
　　极性：P沟道
　　安装方式：表面贴装

S4008VS2TP采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能，使其在低电压、大电流的应用中表现出色。其关键优势之一是具备非常低的RDS(on)，在VGS = -10V时仅为32mΩ，在VGS = -4.5V时为40mΩ，这意味着在实际应用中可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率，尤其是在电池供电设备中能够有效延长续航时间。同时，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，支持现代低压逻辑信号直接驱动（如1.8V、2.5V或3.3V GPIO控制），无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该器件的栅极电荷（Qg）典型值仅为9.5nC，表明其在高频开关应用中具有较低的驱动功率需求，有助于减少控制器的负载并提升系统的动态响应速度。输入电容Ciss约为420pF，使得该MOSFET在高速开关过程中表现出良好的稳定性，减少了不必要的振铃和电磁干扰（EMI）。此外，S4008VS2TP具有快速的开关时间，开启时间约15ns，关断时间约25ns，确保了在负载切换或电源冗余切换过程中能够迅速响应，避免电压跌落或反向电流流动。
　　热性能方面，S4008VS2TP的最大功耗为1.25W，结温范围可达+150°C，具备良好的热稳定性。结合SOT-23-6L封装的优化散热设计，可以在有限空间内实现有效的热量传导，适用于高密度PCB布局。器件还内置了体二极管，可用于防止反向电流回流，在OR-ing电路或多电源选择场景中发挥重要作用。总体而言，S4008VS2TP以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代便携式电子设备中理想的P沟道功率开关解决方案。

S4008VS2TP主要应用于需要高效电源管理的小型化电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑的显示屏电源控制、摄像头模块供电管理以及外设电源启停控制。在这些应用中，利用其低RDS(on)和快速开关特性，可以实现精确的电源域隔离，降低待机功耗，延长电池寿命。
　　另一个重要用途是作为理想二极管（OR-ing二极管）替代方案，用于多电源冗余系统，如主电池与备用电池之间的自动切换，或者USB电源与电池之间的优先级选择。由于传统肖特基二极管存在正向压降导致的能量损耗，而S4008VS2TP的导通压降极低，因此能大幅提高转换效率，并减少发热问题。
　　此外，该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流部分，特别是在非隔离式Buck或LDO后级电路中作为高端开关使用。它还可集成于热插拔控制器电路中，提供浪涌电流限制和过流保护功能。工业手持设备、医疗监测仪器、物联网终端节点以及智能家居传感器模块等对空间和功耗敏感的产品，也都广泛采用S4008VS2TP来实现可靠的电源路径控制。

DMG2302UK-7
　　Si3463DV-T1-E3
　　FDML86131
　　AO3415
　　BSS84