时间：2025/12/26 22:13:16
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S4008LS2TP是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的平面硅栅工艺制造，具有优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高频率下实现较低的开关损耗，从而提升整体系统效率。S4008LS2TP封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子产品和高密度PCB布局设计。其额定电压为40V，连续漏极电流可达5.8A，适合低电压大电流应用场景。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，S4008LS2TP在消费类电子、工业控制及通信设备中均有广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅（Pb），支持无铅焊接工艺，满足现代绿色电子产品的制造要求。作为一款性价比高的MOSFET产品，S4008LS2TP在中小功率开关电路中表现出色，是许多设计师在选择低压功率开关器件时的重要选项之一。
型号：S4008LS2TP
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：5.8A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：23.2A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ @ Vgs=10V, Id=2.9A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.9A
栅源阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.3V
栅极电荷（Qg）：6.5nC @ Vds=20V, Id=2.9A
输入电容（Ciss）：370pF @ Vds=20V
反向恢复时间（trr）：未指定
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
极性：单N沟道
S4008LS2TP采用先进的平面硅栅工艺技术，确保了器件在高频开关应用中的优异性能表现。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。该MOSFET在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为8mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为10mΩ，表明其在低电压逻辑电平驱动下仍能保持良好的导通能力，兼容多数现代控制器输出电平。这种低门槛驱动特性使其非常适合用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的开关电路中，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低成本。
该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达5.8A，脉冲电流更高达23.2A，足以应对瞬态负载变化带来的冲击。同时，其较小的栅极电荷（Qg=6.5nC）有助于减少开关过程中的驱动功耗和延迟时间，使器件能够在数百kHz甚至更高的频率下稳定工作，适用于高频DC-DC变换器、同步整流等应用。输入电容仅为370pF，进一步降低了高频工作时的容性损耗。
SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，还具备良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，提升长期运行的可靠性。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括高温工业环境或低温户外设备。此外，S4008LS2TP具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。整体而言，这款MOSFET在性能、尺寸、成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统中的理想选择。
S4008LS2TP广泛应用于多种电力电子领域，特别是在需要高效、小型化设计的便携式和嵌入式系统中。常见应用包括移动电源、USB充电器、LED驱动电源、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于由微控制器GPIO直接控制的低功率电机驱动电路，如微型风扇、振动马达或电磁阀驱动等。在通信设备中，它可用于电源模块的次级侧开关或热插拔保护电路。此外，在智能家居设备、物联网终端、穿戴式电子产品中，S4008LS2TP凭借其小封装和高效率特点，成为实现节能与紧凑设计的关键元件。工业控制领域中，该器件也可用于传感器供电切换、继电器驱动或PLC输出模块中的固态开关替代方案。因其具备良好的温度稳定性与可靠性，亦适用于汽车电子外围电路（非引擎舱）中的低压电源管理应用。总之，凡是需要一个高性能、小体积、低成本N沟道MOSFET来实现电源通断或功率调节的场合，S4008LS2TP都是一个极具竞争力的选择。
SI4408BDY-T1-E3
AO4408A
FDS4408A
DMG4408L
