时间：2025/12/26 22:13:27
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S4004DS1RP是一款由Diodes Incorporated生产的高电压、高速、反向并联肖特基二极管对，专为高频开关电源和高效率整流应用设计。该器件采用紧凑的表面贴装封装（如SOD-123FL），适用于空间受限且需要高性能功率管理的便携式电子设备和电源系统。S4004DS1RP集成了两个独立的肖特基二极管，以共阴极或反向并联配置连接，使其特别适用于同步整流、续流保护、反向电压保护以及高频DC-DC转换器中的自由轮转二极管功能。由于其低正向导通电压（VF）和快速反向恢复特性，该器件能够显著降低开关损耗，提高整体电源转换效率。S4004DS1RP具备优良的热稳定性和可靠性，工作结温范围通常可达-55°C至+150°C，适合在严苛环境条件下使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保与安全的严格要求。其封装形式具有良好的可焊性和机械强度，便于自动化贴片生产，广泛应用于消费类电子、通信设备、笔记本适配器、LED驱动电源及电池充电管理系统中。
产品类型：肖特基二极管对
配置：双二极管，反向并联
最大重复反向电压（VRRM）：40V
平均整流电流（IO）：1A（每二极管）
峰值浪涌电流（IFSM）：30A
最大正向压降（VF）：0.52V @ 1A（典型值）
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 40V（25°C）
反向恢复时间（trr）：<1ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123FL
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：2
热阻（RθJA）：200°C/W（典型）
湿度敏感等级（MSL）：1级
S4004DS1RP的核心优势在于其卓越的高速开关性能与低功耗特性。由于采用了先进的肖特基势垒技术，该器件避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应，从而实现了几乎为零的反向恢复时间（trr < 1ns）。这一特性在高频开关电源中尤为重要，能够有效减少因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和能效。同时，其低正向压降（典型值0.52V @ 1A）显著降低了导通损耗，尤其在大电流工作条件下，相比传统硅二极管可节省大量能量，有助于实现更高的电源转换效率。
该器件的反向并联结构使其在交流信号路径或双向瞬态抑制应用中表现出色。例如，在H桥电路或电机驱动中，它可以作为钳位二极管对，提供快速的续流通道，防止电压反冲损坏MOSFET等开关元件。此外，S4004DS1RP具备出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能，结温高达+150°C仍可正常工作，适合在紧凑型高密度PCB布局中长期运行。其小型化的SOD-123FL封装不仅节省PCB空间，还具备较低的寄生电感，有利于高频应用中的信号完整性。
从制造角度来看，S4004DS1RP采用可靠的金丝键合工艺和高质量的 molding 包封材料，确保器件在温度循环和湿度环境中具有优异的耐久性。其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准（视具体批次而定），可用于汽车电子中的辅助电源模块。此外，该器件支持自动光学检测（AOI）和回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，提升了大规模生产的良率和一致性。总体而言，S4004DS1RP凭借其高速、高效、高可靠性的综合性能，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件之一。
S4004DS1RP广泛应用于各类高频、高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括：便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，用于提供高效的续流路径；笔记本电脑、手机和平板电脑的电源适配器中的次级侧整流与同步整流辅助电路；LED背光驱动和恒流源中的防倒灌二极管；以及电池充电管理电路中用于防止反向放电的隔离二极管。在通信设备中，该器件可用于PoE（以太网供电）模块的整流单元，确保低损耗的能量传输。此外，在工业控制和自动化系统中，S4004DS1RP常被用作继电器或电感负载的飞轮二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护控制芯片免受高压冲击。其高速响应能力也使其适用于高频逆变器和开关模式电源（SMPS）中的噪声抑制与电压钳位功能。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元的低压电源部分，满足对高可靠性与小尺寸的双重需求。
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"SB140",
"SS14",
"MBR140",
"RB160M-40",
"PMG4004EP",
"SD103AWS"
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