时间：2025/7/5 5:50:35
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S3JHM3_A/H 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够显著提高系统效率并降低发热。其封装形式紧凑，适合对空间有严格要求的设计。
型号：S3JHM3_A/H
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：115A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
功耗(Pd)：270W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
S3JHM3_A/H 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 高电流处理能力，可支持高达 115A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 提供优异的热性能表现，能够在高温环境下稳定运行。
5. 强大的抗雪崩能力，确保在异常条件下仍能保持可靠操作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这些特性使得 S3JHM3_A/H 在需要高效能量转换和高可靠性的应用中表现出色。
S3JHM3_A/H 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的功率开关元件。
2. 各类电机驱动电路，例如伺服电机和步进电机控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
4. 工业设备中的负载切换与保护。
5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。
由于其卓越的性能和可靠性，该芯片成为众多功率电子设计的理想选择。
S3JHM3_A/HE, IRF3710, FDP55N06L
