时间：2025/4/29 19:32:13
阅读：4
S3F84NBXZZ-QT8B 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提高系统效率并降低功耗。
该型号采用先进的制程工艺设计，适合在各种复杂的工作条件下运行。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和优化电路板空间布局。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：2300pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
S3F84NBXZZ-QT8B 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境下的稳定运行。
3. 出色的热稳定性，确保长时间使用中的可靠性。
4. 提供强大的过流保护功能，避免因异常情况导致的损坏。
5. 封装坚固耐用，适合恶劣工业环境下部署。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品。
S3F84NAXZZ-QT8B, IRF840, STP120N06Z
