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S34ML02G104TFI01 发布时间 时间:2025/11/3 8:45:48 查看 阅读:22

S34ML02G104TFI01是一款由Cypress Semiconductor(现属于英飞凌科技公司)生产的串行NAND闪存器件,属于其S34ML系列。该器件采用先进的电荷捕获技术(Charge Trap Flash, CTF),提供了高密度、高性能和低功耗的非易失性存储解决方案。S34ML02G104TFI01具有2Gb(即256MB)的存储容量,组织为2048个块,每个块包含64个页,每页大小为2112字节(其中2048字节用于用户数据,64字节为备用区域)。该芯片通过兼容JEDEC标准的串行外设接口(SPI或OSPI)进行通信,支持单通道、双通道和四通道SPI模式,最高可实现83MHz的时钟频率,从而实现高效的数据吞吐率。
  这款器件广泛应用于需要大容量代码存储或数据记录的嵌入式系统中,如工业控制、网络设备、打印机、汽车信息娱乐系统以及物联网网关等场景。它具备良好的温度适应能力,工作温度范围通常覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),并提供多种可靠性保障机制,包括ECC纠错功能、坏块管理、写保护和耐久性优化设计。此外,S34ML02G104TFI01采用小型化的TFBGA-24封装,尺寸紧凑,适合对空间敏感的应用场合。由于其高集成度与低引脚数特性,能够显著减少PCB布线复杂度和整体系统成本,是替代传统并行NOR/NAND Flash的理想选择之一。

参数

型号:S34ML02G104TFI01
  制造商:Infineon Technologies (原Cypress)
  产品系列:S34ML
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:Serial (SPI/OSPI)
  存储容量:2 Gb
  电压范围:2.3V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:TFBGA-24 (6x8mm)
  页大小:2112 字节 (2048 + 64)
  块数量:2048
  每块页数:64
  时钟频率最大值:83 MHz
  支持模式:Standard/Dual/Quad SPI
  ECC支持:片上ECC引擎
  写使能/写保护:软件及硬件支持

特性

S34ML02G104TFI01在性能和可靠性方面表现出色,具备多项先进特性以满足现代嵌入式系统的严苛要求。首先,该器件采用了电荷捕获技术(CTF),相较于传统的浮栅技术,具有更低的编程电压、更长的使用寿命和更高的数据保持能力。这使得器件在频繁写入操作的应用中仍能维持稳定表现,并延长整体寿命。其次,内置的强健错误校正码(ECC)引擎可在读取过程中自动检测和纠正多位错误,通常支持每512字节纠正最多8位错误,有效提升数据完整性,降低对外部控制器ECC负担的需求。
  该芯片支持灵活的写保护机制,包括软件写保护和WP#引脚控制的硬件写保护,防止关键数据被意外擦除或修改,特别适用于固件存储等安全敏感场景。同时,器件提供多种电源管理模式,如主动模式、待机模式和深度掉电模式,能够在不使用时大幅降低功耗,尤其适合电池供电或绿色节能型设备。
  S34ML02G104TFI01还集成了状态寄存器和配置寄存器,允许主机实时监控操作状态(如忙/就绪)、设置保护区域和启用高级功能。其支持连续读取模式,可实现无缝访问大段数据,提升执行效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并经过AEC-Q100车规认证的部分等级测试,表明其具备一定的汽车级应用潜力。所有这些特性共同构成了一个高度可靠、易于集成且面向未来的串行NAND解决方案。

应用

S34ML02G104TFI01因其高密度、小封装和低引脚数优势,被广泛应用于多个领域。在工业自动化中,常用于PLC控制器、HMI人机界面和远程IO模块中存储固件、配置文件和日志数据;在网络通信设备如路由器、交换机和接入点中,作为启动代码和操作系统镜像的载体,支持快速加载和远程更新。在消费类电子产品中,例如智能电视、机顶盒和打印机中,可用于存放引导程序、字体库或图形资源,减轻主处理器负担。
  在汽车电子领域,尽管并非全系列都通过完整AEC-Q100认证,但部分型号可在信息娱乐系统、车载导航单元或ADAS辅助系统中用于非关键数据的存储任务。此外,在物联网边缘节点和智能传感器中,该器件可用于长时间运行的数据缓存与本地存储,配合微控制器实现断网续传等功能。医疗设备中也可见其身影,用于保存设备校准参数、操作记录或患者使用历史。总体而言,凡是需要比传统SPI NOR更大容量、又希望保留串行接口简洁性的应用场景,S34ML02G104TFI01都是极具竞争力的选择。

替代型号

S34ML02G200TFI00
  S34ML02G200TFI10
  IS25LP256D
  W25N02KV

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