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S3350 发布时间 时间:2025/9/2 11:59:36 查看 阅读:12

S3350 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力以及快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统(BMS)等场景。S3350 通常采用 TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装形式,便于在 PCB 上安装和散热。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):30V
  最大连续漏极电流(ID):70A
  导通电阻(RDS(on)):约 2.5mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 3.0V
  最大栅极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C

特性

S3350 MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻和高电流承载能力,这使得它在高功率密度应用中表现优异。其导通电阻仅为 2.5mΩ,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有优异的热稳定性和抗过载能力,能够在高负载条件下稳定运行。S3350 的封装设计优化了散热性能,支持高电流工作时的稳定性,同时具备良好的焊接可靠性和机械强度。其栅极驱动电压范围适中,适用于常见的 4.5V 至 12V 驱动电路,兼容多种控制器和驱动 IC。该 MOSFET 还具备较低的开关损耗,适用于高频开关应用,如同步整流、电机控制和负载开关等。
  在制造工艺方面,S3350 采用了先进的沟槽式结构,提高了沟道密度,从而在保持小尺寸的同时实现了优异的电性能。该器件的封装材料符合 RoHS 标准,适用于无铅工艺,满足环保要求。此外,S3350 的短路耐受能力较强,可在系统异常情况下提供一定的保护能力,增强整体系统的稳定性与可靠性。

应用

S3350 MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。例如,在汽车电子领域,它可以用于电动助力转向系统(EPS)、车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)中的功率开关;在工业控制中,适用于电机驱动器、伺服系统、PLC 输出模块和DC-DC转换器;在家用电器中,可用于变频空调、洗衣机和电热水器等设备的功率调节模块。此外,S3350 也广泛用于通信设备的电源模块、服务器电源系统和UPS(不间断电源)系统中,为系统提供高效率、高稳定性的功率开关解决方案。

替代型号

STL3350LF, STB3350L, IRF3315, IRF7473

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