时间：2025/8/14 10:34:12
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S310 T/R 是一款常见的射频(RF)功率晶体管，广泛应用于无线通信设备中的发射端。该器件通常采用双极型晶体管(BJT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构，设计用于高频率和高功率应用。S310 T/R 通常被用于VHF和UHF频段的射频放大器中，例如业余无线电设备、商业无线电系统以及测试设备。这款晶体管具有较高的功率增益和良好的热稳定性，适合在需要可靠性和高效率的场景中使用。
晶体类型：NPN射频功率晶体管
最大集电极电流：1.5 A
最大集电极-发射极电压：30 V
最大功耗：30 W
频率范围：175 MHz - 500 MHz
增益：10 dB @ 175 MHz
封装类型：TO-220AB
S310 T/R 是一款专为射频功率放大设计的晶体管，具备良好的高频特性和热稳定性。其主要特点包括高增益、低失真以及优异的线性度，适合用于多频段通信系统中的射频功率放大器。该器件在设计上采用了优化的结构，以减少内部寄生电容，从而提升高频性能。S310 T/R 还具备良好的热管理能力，能够在高功率输出条件下保持稳定运行，延长器件的使用寿命。此外，其TO-220AB封装形式便于安装散热片，提高散热效率。该晶体管在工作温度范围内表现出稳定的电气性能，适用于需要高可靠性的工业和通信设备。
S310 T/R 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于业余无线电设备、商业无线电系统、测试仪器以及射频信号发生器等领域。由于其高频特性和高功率处理能力，它也常用于UHF频段的发射机和中继设备中。此外，S310 T/R 还可用于射频加热设备和工业控制系统的功率放大模块。
MRF150, 2N6363
