S30VT80 时间：2025/7/23 15:57:55 阅读：7

S30VT80 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各种高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：80A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：8.0mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

S30VT80 MOSFET采用了先进的沟槽式结构和优化的硅工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为30V，适合中等电压应用。在Vgs=10V时，最大导通电阻仅为8.0mΩ，确保了在高电流下的稳定性能。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够承受较高的功率耗散（最大150W）。其栅极电荷（Qg）为50nC，使得开关速度较快，从而降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　S30VT80还具有出色的热稳定性和抗过载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，其工作温度范围从-55°C到+175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。

应用

S30VT80广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块以及各种高功率密度电子设备。在电源管理系统中，该器件能够提供高效的能量转换，降低整体功耗，并提高系统稳定性。在电机驱动和负载开关应用中，其低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想选择。
　　此外，S30VT80也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等，满足汽车行业对高可靠性和高性能功率器件的需求。