时间：2025/8/10 15:19:00
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S30B2500W2R是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，适用于高功率和高频率的应用。这种器件通常用于电源转换器、电机控制、DC-AC逆变器以及需要高效能开关特性的电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏极-源极击穿电压（VDS）：250V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.085Ω（最大值0.115Ω）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
S30B2500W2R具有低导通电阻，能够减少导通损耗并提高效率。
该器件的高耐压能力使其适用于各种高电压应用场景。
其高功率耗散特性确保了在高负载条件下的稳定运行。
此外，S30B2500W2R采用了先进的平面条形沟道MOSFET技术，提供了优异的开关性能和热稳定性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合于严苛的工作环境。
其封装设计便于散热，可有效延长使用寿命。
该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、电动工具、工业电机驱动、太阳能逆变器以及电动车控制系统等领域。
它也常用于高功率DC-DC转换器和负载开关电路中，以实现高效的能量转换。
由于其优异的开关性能和高可靠性，S30B2500W2R也可用于需要快速开关的高频电源应用。
此外，该器件还可用于UPS（不间断电源）系统和储能系统中的功率控制模块。
TK25A50U,S30B2500W2R
