S3006D 时间：2025/12/25 0:00:07 阅读：8

S3006D 是一款常用的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路和功率控制等领域。该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合应用于各类中高功率电子设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：连续 10A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.034Ω（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

S3006D MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率；其高栅极击穿电压（±20V）提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路。该器件具备快速开关特性，适用于高频开关应用，同时具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。
　　此外，S3006D 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在紧凑型电源设计中使用。该封装形式也便于 PCB 布局和焊接，提高了制造的便利性。
　　在短路和过载条件下，S3006D 具有一定的抗冲击能力，增强了器件的可靠性。其设计符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

S3006D 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、LED 照明驱动电路以及负载开关等应用场景。在电源适配器、电池充电器和工业控制设备中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流元件，提供高效、可靠的功率控制。此外，S3006D 也常用于负载切换和保护电路，如热插拔电源控制、电源分配系统等，能够有效提高系统的稳定性和能效。