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S2VB60 发布时间 时间:2025/9/3 19:35:20 查看 阅读:7

S2VB60 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器IC,属于半桥式驱动器类别。该器件主要用于控制和驱动高侧和低侧MOSFET,在DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块等应用中非常常见。S2VB60能够提供较高的驱动能力,并具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于各种需要高效、高可靠性MOSFET控制的电路设计。该IC采用紧凑型封装设计,便于在高密度PCB布局中使用。

参数

类型:半桥MOSFET驱动器
  电源电压范围:4.5V至20V
  输出电流(峰值):高端和低端各200mA/350mA(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:SOP16
  驱动方式:自举式高侧驱动
  传播延迟:典型值小于500ns
  欠压锁定(UVLO):具备
  输出端口:高端和低端各一个
  封装尺寸:符合标准SOP封装规范

特性

S2VB60 作为一款高效的MOSFET驱动器,具有多项优异的电气和物理特性。首先,其宽电源电压范围(4.5V至20V)使其能够适应多种电源管理应用场景,无论是低压DC-DC转换器还是高压电机驱动系统都能稳定运行。其次,S2VB60采用了自举式高侧驱动技术,能够有效驱动高侧MOSFET,避免了使用高压双极型晶体管的复杂性和高成本。此外,该IC具备较低的传播延迟(通常小于500ns),能够实现快速响应和精确控制,从而提高整体系统的效率和响应速度。
  在保护功能方面,S2VB60集成了欠压锁定(UVLO)保护机制,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止MOSFET因驱动电压不足而发生非饱和导通,从而避免过热和损坏。其输出端口包括高端和低端各一个,支持独立控制,便于实现复杂的PWM控制策略。同时,S2VB60具备较强的抗噪声能力,能够在高噪声环境下保持稳定运行,提高系统的可靠性。
  该IC采用标准的SOP16封装形式,具有良好的热稳定性和空间利用率,便于自动化生产和散热设计。S2VB60在设计上还考虑了与TTL和CMOS电平的兼容性,使得其能够直接与多种控制器或微处理器接口连接,简化了外围电路设计。

应用

S2VB60 广泛应用于需要高效率MOSFET驱动的各类电子系统中。在电源管理领域,S2VB60常用于同步降压和升压DC-DC转换器,用于驱动高侧和低侧MOSFET,实现高效能量转换。在电机控制应用中,该IC可用于驱动H桥电路中的MOSFET,实现直流电机或步进电机的正反转和速度调节。此外,S2VB60也被广泛用于工业自动化设备、智能家电、UPS不间断电源、LED驱动器等对电源转换效率和系统稳定性有较高要求的场合。
  由于其紧凑的封装和良好的电气特性,S2VB60也适用于汽车电子系统中的电源转换模块,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块。在这些应用中,S2VB60能够承受较为恶劣的工作环境,提供可靠的MOSFET驱动能力。

替代型号

TC4420,Toshiba S2VB60,Toshiba S2VB65,IR2104,LM5106

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S2VB60参数

  • 制造商Shindengen
  • 产品Single Phase Bridge
  • 峰值反向电压600 V
  • 最大浪涌电流40 A
  • 正向电压下降1.05 V
  • 最大反向漏泄电流10 uA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 长度13 mm
  • 宽度13 mm
  • 高度7.5 mm
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体S-2VB
  • 封装Tray