类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：650 V
　　漏极-源极导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.18 Ω
　　最大漏极电流（Id）：900 A（在25°C时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　功率耗散（Ptot）：300 W

S2PF900N65 具备多项优异的电气和物理特性。首先，其高达650V的漏极-源极击穿电压（Vds）使其适用于高电压应用，确保在极端条件下的稳定性。该器件的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值为0.18Ω，这大大降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，S2PF900N65 的最大漏极电流可达900A，适用于高电流负载的应用，如电机驱动和功率转换器。其先进的沟槽栅和场截止技术优化了开关性能，降低了开关损耗，同时提高了短路耐受能力。
　　器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。该器件还具备宽工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
　　此外，S2PF900N65 具有出色的雪崩能量承受能力，提高了器件在高能量应力下的可靠性，适用于高要求的电源管理系统。

S2PF900N65 广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车（EV）充电设备等。在这些应用中，S2PF900N65 可作为主开关器件，负责高效地进行电能转换与控制。
　　在工业电源系统中，该器件可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正（PFC）电路，以提高整体系统的效率和稳定性。在电机控制应用中，S2PF900N65 的高电流承载能力和低导通电阻可有效降低能耗，提高电机驱动效率。
　　此外，在可再生能源系统如太阳能逆变器中，S2PF900N65 可用于实现高效的直流到交流能量转换，确保系统的高转换效率和长期可靠性。在电动汽车充电设备中，该器件可用于实现快速充电和高效能的电能管理。
　　由于其优异的热性能和可靠性，S2PF900N65 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块。

IXFH90N65X2, IRGP90R018KD