类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：76A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为23mΩ
　　功耗（PD）：430W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

S2PF760N65R MOSFET具备多项优良特性，首先，其高达650V的漏源电压（VDS）使其适用于高电压应用环境，如工业电源、不间断电源（UPS）及变频器等。其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为23mΩ，显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，其高连续漏极电流（ID）为76A，可在高负载条件下提供稳定的性能。
　　该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下维持较低的工作温度，从而提高器件的可靠性及寿命。同时，其较高的脉冲漏极电流能力（IDM为300A）使其能够承受瞬时过载，适用于电机驱动和开关电源等需要应对高冲击电流的应用场景。
　　此外，S2PF760N65R的栅源电压（VGS）支持±30V，具有较强的抗干扰能力，降低了因电压波动而导致误导通的风险。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应了宽温度范围的应用需求，适用于各种严苛的工业环境。

S2PF760N65R MOSFET广泛应用于多种功率电子设备中，主要包括：电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、工业自动化控制系统、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。在这些应用中，S2PF760N65R凭借其高耐压、低导通电阻和高电流容量，能够有效提升系统效率并减少散热设计的复杂度。
　　在电源供应器中，S2PF760N65R常用于PFC（功率因数校正）电路和主开关电路，以实现更高的能源转换效率；在电机控制应用中，其高电流能力和快速开关特性有助于实现更精确的速度控制和更高的响应性能；在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，S2PF760N65R可用于功率转换模块，支持高效率、高可靠性的能量传输。

TK76V65W, IPP760N65C3, FCP760N65S