类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：76A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：140nC
　　功耗（Ptot）：300W
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

S2PF760N65 具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)）仅为 24mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件的最大漏极电流为 76A，在高功率应用中能够提供稳定的电流传输能力。其漏源电压高达 650V，适用于中高功率电源系统。此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 140nC，具有较快的开关速度，适合高频开关应用。采用 PowerFLAT 5x6 封装，该器件具备良好的热管理性能，能够在高功率密度设计中有效散热。S2PF760N65 还具有低热阻（Rth）特性，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持 10V 至 20V 驱动，便于与多种驱动电路匹配。
　　在可靠性方面，S2PF760N65 经过严格的设计优化，具备良好的雪崩能量耐受能力，可承受突发的高电压冲击。该器件还具备良好的短路保护性能，能够在异常工况下提供额外的安全保障。由于其封装体积小、性能高，S2PF760N65 非常适合用于紧凑型电源系统设计，如服务器电源、工业电源、太阳能逆变器、电机控制和电池管理系统等领域。

S2PF760N65 广泛应用于多种高功率电子系统中，主要包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、工业电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及高效率电源模块。该器件的高电流能力和低导通电阻特性使其在服务器电源和电信电源系统中表现出色。此外，它还常用于太阳能逆变器、电动车充电器以及工业自动化控制系统中的功率开关环节。

STP75N65FZ, IPW60R024C6, FDPF760N65AS