类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：90A（在25°C时）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.036Ω（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　技术：超级结（Super Junction）技术

S2P900N65R采用了先进的超级结技术，显著降低了导通电阻，提高了器件的开关性能和效率。这种技术使MOSFET能够在高压应用中实现更低的导通损耗，同时保持良好的热稳定性。此外，S2P900N65R具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。
　　该MOSFET的高电流承载能力和优异的热性能使其非常适合用于高功率密度的设计。S2P900N65R在高电压应用中表现出色，能够有效减少能量损耗，提高系统效率。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，可以在异常工作条件下提供额外的安全保障。
　　此外，S2P900N65R具有良好的抗雪崩能力，能够在过电压或瞬态条件下保护器件免受损坏。这种特性使其在需要高可靠性的工业和汽车应用中特别有用。

S2P900N65R适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电设备等。其高压、高电流和低导通电阻的特性使其成为高效能电源转换系统的理想选择。在这些应用中，S2P900N65R可以显著提高系统效率，降低能耗，并提升整体系统可靠性。

STP90N65FA, FCP90N65S3, IPP90N65S3