时间：2025/12/29 11:27:21
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S2P760N65R 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高性能和高可靠性。这款MOSFET专为高功率应用设计，能够处理较大的电流和较高的电压，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等领域。S2P760N65R采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.076Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
漏极电容（Ciss）：约2400pF（典型值）
S2P760N65R MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达650V，适合用于高压电源设计。此外，S2P760N65R采用先进的封装技术，提供良好的热管理和散热性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。内置的雪崩能量保护功能增强了器件的可靠性和耐用性，使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。最后，其广泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种工业和汽车应用。
S2P760N65R MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化设备和太阳能逆变器。在电源管理领域，该器件可用于构建高效的DC-DC转换器和AC-DC电源模块。在电机控制应用中，S2P760N65R能够提供稳定的功率输出，支持高性能电机驱动设计。此外，其高耐压和高电流能力使其成为电动汽车充电系统和储能系统中的理想选择。
STP80NF65R, STP75NF65R, STP90NF65R
