S2MHA 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的电子元器件型号,属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。它被设计用于高效能、低电压应用,具有优异的导通电阻(Rds(on))特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,确保在高频开关条件下仍能保持稳定性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ @ Vgs=4.5V;45mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd):3W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:DFN10(3x3mm)
输入电容(Ciss):500pF @ Vds=10V
开关时间(Ton/Toff):10ns/8ns @ I=3A
S2MHA MOSFET 的主要特性之一是其超低导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。在4.5V的栅极驱动电压下,Rds(on)仅为35mΩ,而在更低的2.5V驱动电压下也仅为45mΩ,这使其非常适合用于电池供电或需要低压操作的便携式设备。
此外,S2MHA 采用 DFN10 封装(3x3mm),具有良好的热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的设计应用。该封装还具有较低的热阻(Rth),有助于快速散热,提高器件在高电流应用下的可靠性。
该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,从而在高频开关应用中保持高效率。同时,其输入电容较小(500pF),加快了开关速度,减少了开关过程中的能量损失。
S2MHA 还具备良好的抗雪崩能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护。此外,其工作温度范围广泛(-55°C 至 150°C),适用于各种工业和消费类电子设备。
S2MHA MOSFET 主要应用于需要高效、低压、高频率操作的电子设备中。常见应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源管理模块、便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)以及电机控制电路。
由于其低导通电阻和高效率特性,S2MHA 特别适合用于需要高能效和低发热的电源转换系统。例如,在电池供电设备中,它可以有效减少能量损耗,延长电池续航时间。在电源管理系统中,S2MHA 可用于负载切换或作为同步整流器的一部分,提升整体转换效率。
此外,S2MHA 的小尺寸封装使其成为空间受限应用的理想选择,例如在移动设备和嵌入式系统中使用。其良好的热性能和高电流能力也使其适用于电机驱动或LED照明控制等中等功率应用场景。
Si2302DS、FDN340P、FDC6303、AO4406、IRLML6401