您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > S29GL512S11TFV010

S29GL512S11TFV010 发布时间 时间:2025/12/25 23:48:51 查看 阅读:11

S29GL512S11TFV010是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的3.0V供电的NOR闪存芯片,属于其Glueless系列高性能、多用途闪存产品线。该器件容量为512Mbit(即64MB),组织方式为64M x 8位或32M x 16位,支持两种总线宽度操作模式,适用于需要高速代码执行和数据存储的应用场景。该芯片采用标准的并行接口设计,具备快速读取性能,典型访问时间低至70ns,适合直接连接微处理器或DSP进行XIP(eXecute In Place)操作。S29GL512S11TFV010集成了多种高级功能,包括内部写状态机(WSM)、硬件复位输入、软件数据保护机制以及扇区擦除/编程功能,有效防止意外写入和数据损坏。其封装形式为64引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),尺寸紧凑,适用于对空间有严格要求的嵌入式系统设计。该器件广泛应用于网络设备、工业控制、通信基础设施、医疗设备及汽车电子等领域,在高可靠性与持久性存储方面表现出色。工作温度范围分为商业级(0°C至+70°C)和工业级(-40°C至+85°C),满足多种环境下的运行需求。此外,该芯片符合RoHS环保标准,并支持多种安全特性如临时块锁定和永久性OTP区域配置,增强了系统的安全性与灵活性。

参数

型号:S29GL512S11TFV010
  制造商:Cypress Semiconductor (Infineon)
  类型:NOR Flash Memory
  容量:512 Mbit (64MB)
  组织结构:64M x 8 / 32M x 16
  供电电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:64-ball FBGA (8x13mm)
  接口类型:并行异步接口
  读取访问时间:70ns 典型值
  编程电压:内部电荷泵生成所需高压
  写使能控制:CE#, WE#, OE# 控制信号
  复位功能:有,低电平有效 RESET# 引脚
  数据保护机制:软件受控写保护、临时块锁定
  擦除单元:扇区(4KB)、块(64KB)和整片擦除
  耐久性:每个扇区可承受10万次擦写周期
  数据保持时间:超过20年
  兼容性:CECC、JEDEC标准兼容
  I/O电平:LVTTL兼容

特性

S29GL512S11TFV010具备多项先进特性,使其在复杂的嵌入式系统中表现优异。首先,其“Glueless”接口设计允许该NOR Flash直接连接到各种主机处理器而无需额外的逻辑缓冲器或地址锁存器,简化了PCB布局并降低了系统成本。这种无缝连接能力特别适用于基于FPGA、ASIC或通用MPU的系统架构。其次,该器件内置写状态机(Write State Machine, WSM),能够自动管理编程和擦除操作中的复杂时序与电压调节过程,用户仅需发送命令序列即可启动相应操作,极大减轻了CPU负担并提高了操作可靠性。
  另一个关键特性是灵活的扇区架构:整个存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区,包括一个2x4KB的小扇区(用于存放引导代码)、一个8x4KB的中等扇区以及多个64KB的大扇区,这种分层结构便于实现细粒度的数据管理与固件更新策略,例如将Bootloader置于受保护的小扇区中以防止误改写。同时,支持软件命令集(如解锁、编程、擦除、挂起等)遵循Common Flash Interface (CFI) 标准,确保与现有驱动程序和操作系统中间件的良好兼容性。
  安全性方面,S29GL512S11TFV010提供多重保护机制。除了常规的VPP检测和写保护引脚外,还支持通过软件指令启用临时块锁定功能,可在运行时动态锁定特定区域;部分型号还可选配一次性可编程(OTP)区域,用于存储加密密钥或设备唯一标识信息。此外,器件支持ECC校验功能(外部控制器配合下),进一步提升数据完整性。在电源管理方面,具备低功耗待机模式(典型电流低于10μA)和快速唤醒能力,有助于延长电池供电设备的工作时间。整体而言,该芯片结合高性能、高可靠性和丰富的功能集,成为工业与通信领域中理想的非易失性存储解决方案。

应用

S29GL512S11TFV010广泛应用于对稳定性、启动速度和代码执行效率要求较高的嵌入式系统中。在网络通信设备中,常用于路由器、交换机和基站控制器中存储启动引导程序(Bootloader)、操作系统镜像(如VxWorks、Linux内核)以及配置文件,其快速随机读取能力确保系统能够迅速完成上电自检并进入正常运行状态。在工业自动化领域,该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块中,用于保存固件代码和关键工艺参数,即使在频繁断电重启或恶劣电磁环境下仍能保持数据完整。汽车电子系统中,尤其在车身控制模块(BCM)、车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS预处理单元中也有应用,支持AEC-Q100认证版本可在高温环境中长期稳定运行。
  此外,医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统和诊断仪器也采用此类NOR Flash来存储经过认证的软件版本和校准数据,确保设备符合严格的合规性要求。国防与航空航天领域则利用其高抗干扰能力和宽温特性,部署于雷达信号处理板卡和飞行控制计算机中作为可信启动介质。由于其支持XIP(就地执行)模式,应用程序可以直接从Flash中运行而不必加载到RAM,节省了内存资源并提升了响应速度,这在资源受限的实时系统中尤为重要。开发过程中,该芯片兼容主流调试工具和编程器,支持在线编程(ISP)和JTAG联合使用,便于固件升级与维护。总之,S29GL512S11TFV010凭借其成熟的技术平台和广泛的生态系统支持,已成为众多高端嵌入式设备的核心存储组件之一。

替代型号

S29GL512S11TFI10
  S29GL512S11TAIV10
  S29GL512S11TFA10

S29GL512S11TFV010推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

S29GL512S11TFV010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格910 : ¥76.79605托盘
  • 系列GL-S
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装56-TSOP