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S29GL512S11FHB020 发布时间 时间:2025/12/25 22:17:47 查看 阅读:10

S29GL512S11FHB020是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的3.0V仅命令集闪存存储器,属于其Gladiator系列的高性能NOR Flash产品。该器件提供512Mbit(即64MB)的存储容量,采用标准的TSOP封装形式,适用于需要高可靠性、快速读取和低功耗特性的嵌入式系统应用。S29GL512S系列基于先进的MirrorBit工艺技术制造,这种创新的编程技术允许在每个存储单元中存储两个独立的数据位,从而显著提高了芯片的存储密度并降低了单位比特的成本。该器件支持多种电压操作模式,主电源VCC范围为2.7V至3.6V,I/O电压VCCQ可在1.7V至3.6V之间工作,使其能够与多种逻辑接口兼容,包括LVTTL和LVCMOS,便于在不同系统平台中集成。
  S29GL512S11FHB020特别设计用于工业控制、网络设备、电信基础设施、汽车电子以及医疗设备等对数据完整性和长期稳定性要求较高的应用场景。它具备出色的耐久性和数据保持能力,典型擦写次数可达10万次以上,数据保存时间超过20年。此外,该芯片集成了高级的安全功能,如硬件写保护、软件数据锁定(Data#Protect)、临时块锁定(Temporary Block Locking)以及永久性扇区保护(Permanent Sector Protection),有效防止意外或恶意的数据修改。通过支持Common Flash Interface (CFI) 标准,主机系统可以动态读取芯片的电气特性、结构参数和编程算法信息,增强了系统的灵活性和可配置性。

参数

品牌:Infineon Technologies (原Cypress)
  类型:NOR Flash
  容量:512 Mbit
  组织结构:64M x 8 / 32M x 16
  工艺技术:MirrorBit
  工作电压 VCC:2.7V ~ 3.6V
  I/O电压 VCCQ:1.7V ~ 3.6V
  封装类型:TSOP-56
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  读取访问时间:70ns / 90ns 可选
  编程时间(典型):4μs/word
  擦除周期(典型):≤ 100ms/block
  耐久性:> 100,000 次擦写循环
  数据保持期:> 20 年
  接口类型:并行异步
  总线宽度:x8/x16 可配置
  是否符合RoHS:是

特性

S29GL512S11FHB020具备多项关键特性,使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。首先,其采用的MirrorBit技术不仅提升了存储密度,还优化了制造成本,同时维持了传统NOR Flash的快速随机读取性能,适合执行代码(XIP, Execute-In-Place)的应用场景。该器件支持全芯片和按扇区的擦除操作,最小擦除单元为4KB的小扇区,允许精细粒度的数据管理,减少不必要的数据搬移和磨损均衡负担。编程操作以字(word)为单位进行,典型编程时间为4微秒每字,结合快速读取响应时间(70ns或90ns版本),确保系统运行高效流畅。
  其次,该芯片内置强大的硬件和软件保护机制。除了常规的VPP高压写使能外,还支持通过特定指令序列启用软件数据锁定功能,实现对任意扇区的动态保护;临时块锁定可在断电后自动解除,而永久性扇区保护可通过一次性编程(OTP)方式设定,防止关键固件区域被篡改。这些安全特性对于工业控制系统中的固件防护至关重要。此外,器件符合Common Flash Interface (CFI) 规范,允许系统在启动时自动查询其物理参数和操作特性,无需硬编码配置信息,提高了设计的通用性和可维护性。
  再者,S29GL512S11FHB020具有良好的环境适应能力,在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,满足严苛工业和车载应用的需求。其低功耗设计体现在多种节能模式上,例如待机模式下电流低至50μA,深度休眠模式可进一步降低至几微安级别,有助于延长电池供电设备的续航时间。所有引脚均具备±2kV HBM ESD保护,增强了现场抗干扰能力和装配过程中的可靠性。最后,该器件支持JEDEC标准的封装尺寸和引脚定义,方便替换同类产品,并简化PCB布局设计。

应用

S29GL512S11FHB020广泛应用于多个高要求领域。在通信设备中,常用于路由器、交换机和基站中存储引导程序(Boot Code)、操作系统映像和配置参数,得益于其快速启动能力和高可靠性。工业自动化控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块,利用该Flash存储实时控制程序和关键工艺数据,确保长时间无故障运行。在汽车电子方面,适用于车身控制模块、仪表盘显示系统和ADAS(高级驾驶辅助系统)中的非易失性数据记录,尤其是在需要宽温工作的环境下表现优异。医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统也采用此类器件来保存校准数据和操作日志,保障患者信息的安全与合规性。此外,在测试测量仪器、军工和航空航天电子系统中,该芯片因其长寿命、抗辐射和稳定性能而受到青睐。由于支持XIP(就地执行)模式,CPU可以直接从Flash中运行代码,无需将程序加载到RAM,节省了内存资源并加快了系统启动速度,这在资源受限的嵌入式系统中尤为重要。

替代型号

S29GL512S11TFHI201
  S29GL512S11FBHI201
  S29GL512S11FVR201
  MT28EW512ABA1LPC-0SIT
  IS26LV512-SBBLI-100

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S29GL512S11FHB020参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格360 : ¥97.52542托盘
  • 系列GL-S
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间110 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(11x13)