类型：NOR Flash
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　存储容量：256 Mbit (32 MB)
　　架构：并行接口 (x8/x16)
　　访问时间：70ns
　　封装类型：64-ball BGA (0.8mm pitch)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写使能：软件控制/硬件WP#引脚
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　数据保持：> 20 年
　　耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　总线宽度：可配置为 x8 或 x16 模式
　　供电电流：典型值 9mA（读取模式），< 15μA（深度掉电模式）
　　接口标准：CE#、OE#、WE# 控制信号，支持异步读写
　　安全特性：软件写保护（SWP）、硬件写保护引脚（WP#）、锁定寄存器
　　启动配置：支持Boot Block架构，包含可单独保护的启动扇区

S29GL256S90GHA010所采用的MirrorBit Flash技术是其核心优势之一，该技术利用创新的氮化物存储层，在每个存储单元中实现两个独立数据位的存储，分别位于“左”和“右”两侧，这种双位单元结构显著提升了存储密度而无需缩小工艺节点，从而在成本与性能之间取得良好平衡。该技术还具备较低的电场干扰风险，提高了数据稳定性和抗干扰能力。
　　该芯片支持灵活的扇区架构，将32MB存储空间划分为多个可独立擦除的扇区（包括一个较小的引导扇区和多个主数据扇区），允许用户对特定区域进行更新而不影响其余内容，特别适用于需要现场固件升级或日志记录的应用。其70ns的快速访问时间确保了高效的指令执行速度，接近SRAM级别的性能表现，使得CPU可以直接从闪存中运行代码（XIP，eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖。
　　在可靠性方面，S29GL256S90GHA010具备强大的数据保护机制。除了硬件写保护引脚WP#可在外部控制写入操作外，还支持通过软件命令启用或禁用写入功能，有效防止因系统异常重启或电源不稳定引发的误写。此外，芯片内置的VPP检测电路能够识别非法电压输入，进一步增强安全性。
　　低功耗设计也是该器件的重要特点。在正常读取模式下仅消耗约9mA电流，而在待机或深度掉电模式下电流可降至微安级别，非常适合电池供电或绿色节能应用。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其能在恶劣工业或车载环境中稳定运行。同时，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品制造要求。

S29GL256S90GHA010广泛应用于需要高可靠性和大容量非易失性存储的嵌入式系统中。在汽车电子领域，常用于存储发动机控制单元（ECU）的固件、车载信息娱乐系统的操作系统以及高级驾驶辅助系统（ADAS）的配置数据，其宽温特性和高耐久性确保车辆在极端气候条件下仍能稳定运行。在工业控制系统中，该芯片被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业网关中的程序存储器，支持频繁的固件更新和实时数据记录，保障生产流程的连续性与安全性。
　　在网络与通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，S29GL256S90GHA010用于存放启动代码（Bootloader）、网络协议栈和设备配置参数，其快速读取能力和XIP支持有助于缩短系统启动时间并提升响应效率。在消费类高端设备中，例如数字电视、智能机顶盒和安防监控设备，该芯片承担操作系统和应用程序的存储任务，确保长时间运行不丢失关键数据。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和航空电子系统中，该器件凭借其长达20年的数据保持能力和高达10万次的擦写寿命，成为长期数据存档和关键代码备份的理想选择。由于其支持JEDEC标准命令集，易于集成到现有开发平台中，配合通用编程器即可完成烧录与调试，极大降低了开发难度和生产成本。整体而言，S29GL256S90GHA010是一款适用于多行业、多场景的高性能NOR Flash解决方案。

S29GL256S90TFI020
　　S29GL256S90DHI020
　　S29GL256N90GHA100
　　CY15X102QN