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S29GL256P90FFIR22 发布时间 时间:2025/12/25 23:18:37 查看 阅读:17

S29GL256P90FFIR22是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的3.0V 256Mbit的NOR闪存芯片,采用先进的MirrorBit技术制造。该器件具有高密度、高性能和低功耗的特点,广泛应用于需要可靠代码存储和数据记录的嵌入式系统中。S29GL256P90FFIR22采用64引脚BGA封装(13x13mm),适用于空间受限的应用场景。该芯片支持多种工作模式,包括读取、编程、擦除以及低功耗待机模式,能够满足不同应用场景下的性能与功耗需求。其内部结构被划分为多个可独立操作的块(sector),便于实现局部擦写操作,从而提升系统灵活性并延长使用寿命。此外,该器件集成了硬件和软件保护机制,防止意外写入或擦除,确保关键代码的安全性。S29GL256P90FFIR22兼容JEDEC标准接口,便于与主流处理器和控制器连接,适合用于网络设备、工业控制、汽车电子、通信基础设施等对可靠性要求较高的领域。

参数

容量:256 Mbit
  组织方式:16 M x 16 / 32 M x 8
  供电电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:64-pin BGA (13x13 mm)
  接口类型:并行(x8/x16模式)
  访问时间:90ns
  编程电压:内部电荷泵生成
  擦除方式:扇区或整片擦除
  JEDEC标准兼容:是
  写保护功能:有(硬件和软件)
  自动选择模式:支持
  CFI(Common Flash Interface)支持:是

特性

S29GL256P90FFIR22采用了Cypress独有的MirrorBit技术,这项创新的浮栅晶体管结构允许每个存储单元存储两个比特的信息,显著提升了存储密度,同时降低了单位成本。在物理实现上,该技术通过在同一个晶体管中创建两个独立的电荷存储区域来实现双位存储,这不仅提高了集成度,还增强了数据保持能力和耐久性。该器件具备出色的读取性能,典型访问时间为90ns,能够在高速系统总线环境下稳定运行,支持x8和x16两种数据宽度模式,增强了与不同主控系统的兼容性。在写入和擦除方面,S29GL256P90FFIR22内置了高效的算法控制逻辑,支持按扇区(最小可编程单位)进行编程和擦除操作,并可通过命令序列触发整片擦除。每个扇区可以独立进行编程和擦除,极大地方便了固件更新和数据管理。
  为了保障数据完整性,该芯片提供了多重保护机制。除了可以通过硬件引脚(如BYTE#、RESET#、WP#)控制写操作外,还支持软件写保护命令集,防止因系统异常或误操作导致的关键代码被破坏。此外,器件支持Common Flash Interface(CFI)协议,允许主机系统在运行时动态读取芯片的电气特性和结构参数,从而实现即插即用配置,简化系统设计流程。S29GL256P90FFIR22还具备低功耗管理模式,在待机状态下电流消耗极低,适合电池供电或节能型应用。整个器件符合工业级温度规范(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下的长期稳定性。所有这些特性使得S29GL256P90FFIR22成为高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

应用

S29GL256P90FFIR22广泛应用于对存储容量、可靠性和环境适应性有较高要求的工业和通信领域。常见用途包括路由器、交换机和其他网络基础设施设备中的固件存储,用于保存启动代码(Boot Code)、操作系统镜像及配置文件。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和远程终端单元(RTU),提供稳定的程序存储支持。汽车电子领域中,它也被用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)模块以及电子控制单元(ECU),以确保关键软件在断电后仍能可靠保留。此外,该器件适用于医疗设备、测试仪器和航空电子设备等需要长期数据保存和高抗干扰能力的场合。得益于其BGA小型封装和高抗振性,S29GL256P90FFIR22也适合部署在空间紧凑且面临机械应力的环境中。由于支持快速随机读取和频繁的固件升级操作,该芯片特别适合需要现场可编程能力的嵌入式系统平台。

替代型号

S29GL256P_90_XXX
  S29GL256S_90_XXX
  S29GL256L_90_XXX

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S29GL256P90FFIR22参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格400 : ¥72.90060卷带(TR)
  • 系列GL-P
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页90ns
  • 访问时间90 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(13x11)