容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织架构：NOR Flash
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：56
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取访问时间：110 ns
　　读取电流（典型值）：15 mA
　　待机电流（典型值）：10 μA
　　写入/擦除电压：内部电荷泵生成
　　编程时间（典型值）：100 μs/word
　　擦除时间（典型值）：1.0 s/block
　　接口类型：并行异步接口
　　支持块锁定功能：是
　　支持软件数据保护：是

S29GL128N11TAI01 拥有多项先进的特性，以满足高可靠性与高性能的应用需求。其主要特性包括：
　　1. **高性能读取操作**：该芯片的访问时间为 110 ns，能够满足高速数据读取的需求，特别适合需要快速启动和执行代码的应用场景，例如嵌入式系统和 Bootloader 程序存储。
　　2. **低功耗设计**：在待机模式下，其典型电流仅为 10 μA，非常适用于对功耗敏感的便携式或电池供电设备。
　　3. **灵活的存储结构**：S29GL128N11TAI01 将 128 Mbit 的存储空间划分为多个可独立擦除的块（block），每个块的大小为 64 KB 或 8 KB，允许用户根据需要选择性地擦除特定区域，从而提升擦写效率并延长芯片寿命。
　　4. **硬件和软件保护机制**：该芯片具备硬件写保护引脚（WP#）和软件块锁定功能，可防止意外写入或擦除，提升数据安全性。
　　5. **耐用性强**：支持每块 100,000 次擦写周期，并提供 20 年以上的数据保留能力，确保在工业和汽车应用中的长期可靠性。
　　6. **广泛的温度适应能力**：支持 -40°C 至 +85°C 的工业级工作温度范围，适用于严苛环境下的应用，如汽车电子和工业控制。
　　7. **兼容性好**：采用标准的并行异步接口，易于与多种微控制器（MCU）和嵌入式处理器集成，降低了系统设计的复杂度。

S29GL128N11TAI01 的高可靠性、低功耗和灵活的存储结构使其广泛应用于多个领域。例如：
　　1. **嵌入式系统**：用于存储固件、操作系统代码和关键数据，如工业控制设备、医疗设备和智能仪表。
　　2. **汽车电子**：适用于汽车导航系统、仪表盘控制模块和车载娱乐系统，满足汽车环境对温度和可靠性的严格要求。
　　3. **通信设备**：用于路由器、交换机和基站设备中，作为 Bootloader 和配置数据的存储介质。
　　4. **工业自动化**：适用于 PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，支持长时间运行和频繁更新。
　　5. **消费电子**：如数字电视、机顶盒和智能家电，用于存储系统程序和用户设置。
　　总之，S29GL128N11TAI01 是一款性能稳定、适用范围广的 NOR Flash 存储器，适用于需要高可靠性和灵活存储管理的高端应用。

S29GL128P11TFI02, S29GL128S11TFA10, S29GL256S11TFIR4