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S29GL01GT10FHI023 发布时间 时间:2025/11/3 16:16:00 查看 阅读:18

S29GL01GT10FHI023是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的3.0V Spansion FLASHTM系列的闪存芯片,属于NOR Flash存储器类别。该器件具有1Gbit(128M字节)的存储容量,采用标准的TSOP封装形式,适用于需要高可靠性和快速读取性能的应用场景。S29GL01GT10FHI023支持多种电压操作模式,主电源电压为3.0V,I/O引脚可兼容1.8V和3.0V逻辑电平,使其能够灵活地集成到不同的系统设计中。该芯片采用0.13微米的制造工艺,具备较高的集成度和稳定性,并通过了工业级温度范围认证(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下依然保持稳定运行。
  S29GL01GT10FHI023支持多种命令集操作,包括写入、擦除、读取以及安全保护功能,如软件数据锁定、硬件写保护和密码保护等,有效防止未经授权的访问或修改。其内部结构划分为多个扇区(sector),允许对单个扇区进行独立擦除和编程,提升了系统的灵活性与效率。此外,该器件还支持Boot Block架构,将存储空间划分为多个可配置区域,便于实现固件更新、启动代码隔离等功能。由于其高性能、高可靠性和丰富的功能特性,S29GL01GT10FHI023广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子、网络路由器及嵌入式系统等领域。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  产品系列:Spansion S29GL
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:1 Gbit (128 MByte)
  电源电压(Vcc):2.7V ~ 3.6V
  I/O电压(VIO):1.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP-56 (40x10mm)
  接口类型:Parallel (地址/数据总线)
  访问时间:70ns / 90ns 可选
  每扇区擦除时间:典型值70ms
  编程时间:典型值10μs/byte
  扇区大小:不同区块包含256KB、64KB、8KB等多种尺寸
  写保护功能:支持硬件WP#引脚和软件锁定
  可靠性:耐久性100,000次编程/擦除周期;数据保持时间可达20年

特性

S29GL01GT10FHI023具备多项先进的技术特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,它采用了Spansion独特的MirrorBit? 技术,这项专利技术利用氮化物层中的两个电荷存储点来实现每个单元存储两位信息的能力,从而显著提高存储密度并降低成本。相比传统的浮栅NOR Flash,MirrorBit技术不仅提升了单元可靠性,还增强了抗辐射能力和长期数据保持性能。这种结构也降低了编程电压需求,减少了功耗,延长了器件寿命。
  其次,该器件提供高度灵活的扇区架构。整个1Gbit存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区,包括一个8KB的小扇区(用于存放关键配置信息)、七个64KB的中等扇区以及多个256KB的大扇区。这种分块设计使得用户可以根据实际需求选择精确的擦除范围,避免全片擦除带来的资源浪费和时间延迟。同时,支持按扇区或整片擦除操作,并可通过软件指令序列进行控制,极大提高了固件管理的灵活性。
  再者,S29GL01GT10FHI023集成了全面的安全保护机制。除了标准的硬件写保护引脚(WP#)外,还支持通过特定命令序列启用或禁用软件锁定功能,防止误写或恶意篡改。此外,器件内置安全寄存器(OTP和SRP),可用于存储唯一ID、加密密钥或其他敏感信息,进一步增强系统安全性。在上电复位过程中,自动进入只读状态,直到接收到有效的解锁命令,防止异常启动导致的数据损坏。
  最后,该芯片优化了读取性能和功耗管理。支持70ns的快速访问时间,满足高速处理器直接从Flash执行代码(XIP, eXecute In Place)的需求。待机电流低至15μA,主动读取电流约为15mA,有助于降低整体系统能耗,特别适合电池供电或绿色节能型设备使用。配合CE#、OE#和WE#等控制信号的精细时序管理,可在复杂多任务环境中实现高效稳定的存储操作。

应用

S29GL01GT10FHI023因其高容量、高可靠性和优异的读取性能,广泛应用于多种对数据完整性和系统稳定性要求较高的嵌入式系统中。在通信基础设施领域,常用于路由器、交换机和基站设备中存储引导程序(bootloader)、操作系统映像和配置文件,支持远程固件升级(FOTA)且具备断电恢复能力。在工业控制系统中,作为PLC、HMI面板和数控机床的核心存储单元,用于保存控制逻辑、校准参数和运行日志,确保在频繁启停和电磁干扰环境下仍能可靠运行。
  在汽车电子方面,该芯片符合AEC-Q100工业级可靠性标准,适用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)和仪表盘模块,用于存储图形界面资源、语音提示音频和车辆设置数据。其宽温特性和抗振动设计确保在极端气候条件下持续工作。此外,在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中,S29GL01GT10FHI023用于固化医疗算法和用户界面程序,保障设备开机即用、响应迅速。
  消费类电子产品中,该器件也被应用于高端数字电视、机顶盒和智能家居网关,支持快速启动和多任务加载。得益于其并行接口的高带宽特性,能够在不增加额外缓存芯片的情况下实现流畅的图形渲染和实时数据处理。同时,其长期供货保证和成熟的供应链体系使其成为OEM厂商首选的标准化存储解决方案之一。

替代型号

S29GL01GS10TFI020
  S29GL01GT11BAHI021
  S29GL01GT11FHIV21

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S29GL01GT10FHI023参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥129.82000剪切带(CT)1,600 : ¥107.95968卷带(TR)
  • 系列GL-T
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间100 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(13x11)