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S29GL01GS12DHVV10 发布时间 时间:2025/12/25 21:49:42 查看 阅读:8

S29GL01GS12DHVV10是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies的一部分)生产的32位/16位可配置非易失性闪存存储器,属于其GL系列高性能NOR Flash产品线。该器件的存储容量为128Mbit(即16MB),采用标准的x8/x16接口模式,支持高速随机读取和快速页编程操作。S29GL01GS12DHVV10专为需要高可靠性、高性能和低功耗特性的工业、通信和汽车应用而设计。该芯片基于0.13微米浮栅Flash技术制造,具备出色的耐久性和数据保持能力,典型擦写次数可达10万次以上,数据保存时间超过20年。其封装形式为64引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),尺寸紧凑,适用于对空间要求较高的嵌入式系统。该器件支持多种电源电压工作模式,核心电压为1.7V至2.0V,I/O电压则支持2.3V至3.6V,具备良好的系统兼容性。此外,它集成了先进的安全保护机制,包括硬件写保护、软件锁定块保护以及一次性可编程(OTP)区域,有效防止未经授权的访问或修改。S29GL01GS12DHVV10还支持JEDEC标准串行存在检测(SPD)功能,并可通过命令寄存器实现全片擦除、扇区擦除、缓冲编程等多种操作模式,提升了系统的灵活性与维护便利性。

参数

型号:S29GL01GS12DHVV10
  制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  类型:NOR Flash
  容量:128 Mbit (16 MB)
  组织结构:按x8/x16可配置
  工作电压 - 核心:1.7V ~ 2.0V
  工作电压 - I/O:2.3V ~ 3.6V
  封装:64-FBGA (8x11mm)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  访问时间:120ns
  接口类型:并行异步
  写使能信号:WE#
  输出使能:OE#
  片选信号:CE#
  字节控制:BYTE#
  编程电压:内部电荷泵生成
  擦除方式:整片擦除 / 扇区擦除
  写保护功能:软件锁定块 + 硬件WP#引脚
  可靠性寿命:≥100,000次编程/擦除周期
  数据保持期:≥20年
  符合RoHS标准:是

特性

S29GL01GS12DHVV10具备多项先进特性,使其在高性能嵌入式存储应用中表现出色。首先,其双电压架构设计——核心使用低至1.8V供电以降低功耗,而I/O接口支持宽范围电压(2.3V~3.6V)——使得该器件能够无缝集成到混合电压系统中,尤其适合那些主控芯片采用低压工艺但需与传统3.3V外设通信的应用场景。这种分离式供电方案不仅提高了能效,也增强了系统级兼容性。
  其次,该器件支持灵活的存储阵列组织方式,用户可在x8(字节模式)和x16(字模式)之间动态切换,从而适应不同的总线宽度需求。这对于需要在不同工作模式下运行的复杂处理器系统非常有利,例如在启动阶段使用x16模式加快代码加载速度,在特定外设交互时切换至x8模式进行精确控制。
  再者,S29GL01GS12DHVV10内置了智能命令接口和状态寄存器机制,允许通过标准写入序列执行擦除、编程和查询操作。状态轮询和DQ6/DQ7抖动检测功能可用于判断操作完成状态,提升系统响应效率。同时,其支持缓冲编程技术,允许一次写入多达32字的数据,显著提高编程吞吐量,相比单字编程大幅缩短写入时间。
  安全性方面,该芯片提供多层级保护策略:除了常规的软件命令锁定指定扇区外,还配备硬件写保护引脚(WP#),当拉低时可物理禁止对状态寄存器的修改;此外,设有不可逆的一次性可编程区域(OTP),常用于存储加密密钥、设备序列号或固件签名,确保关键信息不被篡改。
  最后,该器件符合工业级温度规范(-40°C至+85°C),具有高抗干扰能力和长期稳定性,适用于严苛环境下的持续运行,如车载电子、工业自动化控制器、网络交换设备等。整体而言,S29GL01GS12DHVV10是一款集高性能、高可靠性和强安全性于一体的NOR Flash解决方案。

应用

S29GL01GS12DHVV10广泛应用于对存储性能和系统稳定性有较高要求的领域。在通信基础设施中,它常用于路由器、交换机和基站设备中作为Boot Code存储介质,因其支持XIP(Execute In Place)功能,处理器可直接从闪存中执行代码,无需将程序加载到RAM,节省内存资源并加快启动速度。在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制模块,该芯片用于存储固件、配置参数及实时日志数据,其高耐用性和宽温特性保障了长时间稳定运行。
  在汽车电子领域,尽管未达到AEC-Q100车规等级,但在部分车身控制模块、车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS辅助系统中仍有应用,特别是在需要大容量非易失性存储且环境条件可控的场合。此外,医疗设备如便携式监护仪、成像系统控制板也采用此类器件来存储操作系统映像和校准数据,依赖其长期数据保持能力和抗辐射干扰特性。
  消费类高端设备如数字电视、机顶盒和智能网关同样受益于该芯片的快速读取和可靠写入性能。其并行接口带来的高带宽优势在频繁访问固件或图形资源的场景中尤为突出。总体来看,S29GL01GS12DHVV10适用于所有需要高效、安全、持久化代码与数据存储的嵌入式平台,尤其是在强调启动速度、现场升级能力和系统安全性的系统中发挥重要作用。

替代型号

S29GL128S_12_XXV

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S29GL01GS12DHVV10参数

  • 现有数量236现货
  • 价格1 : ¥129.66000托盘
  • 系列GL-S
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间120 ns
  • 电压 - 供电1.65V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(9x9)