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S29GL01GS10FHI023 发布时间 时间:2025/12/25 22:19:53 查看 阅读:16

S29GL01GS10FHI023是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的高性能、低功耗的3.0V闪存存储器芯片,属于其GL-S系列的NOR Flash产品线。该器件专为需要高密度、快速读取和可靠数据存储的应用而设计,广泛应用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统中。S29GL01GS10FHI023的存储容量为128Mbit(即16MB),组织方式为16位字或8位字节模式,支持标准的异步SRAM接口,便于与多种微控制器和处理器无缝集成。该芯片采用先进的MirrorBit技术,通过在每个存储单元中存储两个比特(双位存储)来提高存储密度并降低成本。此外,该器件支持快速页面读取操作,访问时间低至100ns,能够满足实时系统对高速数据读取的需求。S29GL01GS10FHI023还集成了硬件写保护功能,防止意外写入或擦除,提升了系统的可靠性。其封装形式为64引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),尺寸紧凑,适用于空间受限的高密度PCB布局。工作温度范围分为工业级(-40°C至+85°C)和扩展工业级(-40°C至+105°C),适合严苛环境下的长期稳定运行。该器件符合RoHS环保标准,并支持多种节能模式,包括自动休眠和待机模式,以降低整体系统功耗。

参数

型号:S29GL01GS10FHI023
  制造商:Cypress Semiconductor (Infineon)
  类型:NOR Flash
  存储容量:128 Mbit (16 MB)
  组织结构:x16 或 x8 可配置
  供电电压:2.7V 至 3.6V
  访问时间:100ns
  工作温度:-40°C 至 +105°C
  封装类型:64-ball FBGA (8x11x0.8 mm)
  接口类型:异步CE#、OE#、WE#控制
  编程电压:内部电荷泵生成
  写保护:支持硬件WP#引脚保护
  擦除方式:扇区擦除、块擦除、整片擦除
  编程方式:字/字节编程
  总线宽度:可配置为16位或8位模式
  待机电流:典型值为50μA
  读取电流:典型值为25mA
  编程/擦除电流:典型值为50mA

特性

S29GL01GS10FHI023具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先,其基于MirrorBit技术的存储架构允许每个物理存储单元存储两个独立的数据位,分别位于“左”和“右”位置,从而实现存储密度翻倍,同时保持制造成本相对较低。这种技术不仅提高了单位面积的存储效率,还增强了数据的可靠性与耐久性。其次,该器件支持灵活的分区结构,包含多个可单独擦除的扇区(sector)和块(block),最小扇区大小为64KB,用户可根据实际需求进行精细管理,有效避免不必要的全片擦除操作,延长器件寿命。此外,芯片内置了先进的命令集架构(如CFI - Common Flash Interface),允许主机系统通过标准查询指令获取设备参数信息,包括厂商代码、设备ID、块布局、电压要求等,极大简化了系统初始化和兼容性配置过程。
  S29GL01GS10FHI023还提供强大的写保护机制,包括硬件写保护引脚(WP#)和软件写保护功能,防止因电源波动或程序异常导致的关键数据被误修改。其内部集成电荷泵可在单3V供电下完成编程和擦除操作,无需额外的高压电源,简化了系统电源设计。为了提升系统响应速度,该器件支持快速页读取模式,在连续访问多个地址时可显著减少延迟。另外,它具备卓越的耐久性和数据保持能力:支持高达10万次的编程/擦除周期,数据可保存长达20年,适用于长期运行且频繁更新固件的工业应用场景。最后,该器件支持多种低功耗模式,包括自动进入待机模式和深度休眠模式,有助于降低整体系统能耗,特别适合电池供电或绿色节能型设备使用。

应用

S29GL01GS10FHI023广泛应用于对稳定性、速度和可靠性要求较高的嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和远程I/O模块中,作为固件存储和配置参数保存的介质。在网络通信设备中,如路由器、交换机、基站控制器和光传输设备,该芯片用于存放启动代码(Bootloader)、操作系统映像以及运行日志信息,确保系统上电后能快速加载并稳定运行。在消费类高端设备中,例如智能电视、机顶盒和数字视频录像机(DVR),S29GL01GS10FHI023可用于存储引导程序和关键系统设置,保障开机速度与用户体验。汽车电子方面,尽管该型号主要面向工业级应用,但在车身控制模块(BCM)、车载信息娱乐系统(IVI)或ADAS辅助系统的外围存储中也有应用潜力,尤其是在需要高温工作性能的设计中。
  此外,医疗设备制造商也倾向于选用此类高可靠性NOR Flash,用于存储设备校准数据、操作协议和安全认证信息,确保设备在不同环境条件下均能准确执行任务。军事与航空航天领域则利用其宽温特性和抗干扰能力,部署于雷达系统、飞行控制系统和卫星通信终端中。开发人员在使用该器件时通常结合JTAG调试器或专用Flash编程工具进行烧录,并通过操作系统中的MTD(Memory Technology Device)驱动实现Linux或RTOS下的高效管理。由于其支持XIP(Execute-In-Place)功能,处理器可直接从Flash中执行代码,无需将程序复制到RAM,节省内存资源并加快启动过程。因此,S29GL01GS10FHI023是一款适用于多行业、多功能场景的高性能NOR Flash解决方案。

替代型号

S29GL128S_10_70_1E

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S29GL01GS10FHI023参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,600 : ¥99.33403卷带(TR)
  • 系列GL-S
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间100 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(13x11)