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S25FL512SAGMFV010 发布时间 时间:2025/11/3 17:18:29 查看 阅读:12

S25FL512SAGMFV010是一款由Infineon Technologies(原Spansion)生产的512Mbit(64MB)串行NOR闪存芯片,属于S25FL系列高性能、低功耗的多I/O串行闪存产品线。该器件采用先进的MirrorBit技术制造,具有高可靠性、快速读取性能和灵活的命令集,广泛应用于需要代码存储和数据记录的嵌入式系统中。S25FL512SAGMFV010支持标准SPI(Serial Peripheral Interface)以及快速四通道I/O(QPI)操作模式,能够实现高达133MHz的时钟频率,在四I/O快速读取模式下提供卓越的数据吞吐能力。其封装形式为8引脚SOIC(Small Outline Integrated Circuit),尺寸紧凑,适合空间受限的应用场景。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),具备高耐用性和长期数据保持能力,典型擦写次数可达10万次,数据保存时间超过20年。此外,S25FL512SAGMFV010集成了多种安全与保护功能,如软件和硬件写保护、顶部或底部扇区架构配置、临时块锁定(One-Time Programmable, OTP)区域以及对JEDEC标准ID的支持,便于系统识别和兼容性管理。它还支持节能模式(深度掉电模式),在非活动期间显著降低功耗,适用于便携式设备和对能效要求较高的应用环境。

参数

容量:512 Mbit (64 MB)
  接口类型:SPI, QPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  时钟频率:最高133 MHz
  封装类型:8-SOIC
  引脚数:8
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储器组织:按扇区/块结构划分,最小擦除单位为4KB
  写使能机制:支持WREN/WRDI指令控制
  状态寄存器:包含忙标志、写保护位、QE位等
  支持协议:支持Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI 和 QPI 模式
  编程时间:典型字节编程时间为1.2μs
  擦除时间:典型扇区擦除时间为400ms,整片擦除约为35秒
  输入/输出电平:兼容CMOS电平
  可靠性指标:耐久性100,000次编程/擦除周期,数据保持时间>20年

特性

S25FL512SAGMFV010具备多项先进特性,使其在嵌入式存储解决方案中表现出色。
  首先,该芯片支持多种通信接口模式,包括标准SPI、Dual SPI、Quad SPI以及高速QPI(Quad Peripheral Interface)模式。这使得主机处理器可以通过更少的引脚实现更高的数据传输速率,在QPI模式下可达到532 Mbps的理论带宽,极大提升了系统响应速度和实时性能。这种灵活性允许设计者根据实际需求选择最优的操作模式,平衡性能与PCB布线复杂度。
  其次,器件采用了高效的扇区架构设计,支持4KB小扇区擦除,便于精细管理代码更新和数据存储区域,特别适合需要部分擦写操作的应用场景,如固件增量升级或日志记录。同时支持全片擦除和按块擦除(32KB、64KB),提升操作效率。
  第三,S25FL512SAGMFV010内置完善的安全保护机制。通过状态寄存器中的写保护位(SRP, BP)、比较器锁定(CMP)等功能,可以防止意外写入或恶意篡改关键代码段。支持顶部/底部写保护配置,允许用户将保护区域设定在存储空间的任意一端,增强系统安全性。此外,芯片提供一个256字节的一次性可编程(OTP)区域,可用于存储加密密钥、唯一设备标识或其他不可逆信息,进一步加强防伪和版权保护能力。
  第四,该器件支持节能运行模式。在深度掉电模式(Deep Power-down Mode)下,电流消耗可降至仅几微安级别,非常适合电池供电或间歇工作的物联网终端设备。退出该模式后可在毫秒级时间内恢复正常操作,不影响系统整体响应性。
  最后,S25FL512SAGMFV010符合工业级环境标准,具备良好的抗干扰能力和长期稳定性,适用于严苛的工作条件。其封装符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,便于现代自动化生产流程集成。

应用

S25FL512SAGMFV010广泛应用于各类需要高性能、高可靠性和低功耗特性的嵌入式系统中。
  在工业控制领域,该芯片常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中,用于存储启动代码、操作系统镜像或配置参数。其快速启动能力和稳定的读取性能有助于缩短系统上电自检时间,提高设备可用性。
  在网络通信设备中,如路由器、交换机、光模块和基站单元,S25FL512SAGMFV010被用作Boot ROM来存放引导程序,支持远程固件升级(FOTA),并可通过QPI高速接口加速加载过程,提升设备部署和维护效率。
  消费类电子产品,例如智能电视、机顶盒、数码相机和可穿戴设备,也大量采用此类串行NOR Flash进行图形资源、音频文件或应用程序的本地缓存。其小封装和低功耗特性非常适合移动和便携式产品设计。
  汽车电子方面,尽管该型号为工业级而非AEC-Q100认证车规级,但在部分车载信息娱乐系统(IVI)、行车记录仪或ADAS辅助模块的原型开发和非关键子系统中仍有使用,尤其是在成本敏感且对性能有一定要求的设计中。
  此外,该芯片还可用于医疗设备、测试仪器、智能家居中枢等对数据完整性要求较高的场合。结合其OTP安全区和写保护功能,可用于实现设备身份认证、许可证验证或固件防篡改机制,提升整体系统安全性。

替代型号

S25FL512SAGNFI010
  S25FL512SAGBHVI10
  MT25QL512ABB1EW9-E
  IS25LP512AJBBLA1

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S25FL512SAGMFV010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥85.54000托盘
  • 系列FL-S
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC