制造商：Infineon Technologies
　　系列：S25FL
　　存储容量：128 Mbit
　　存储类型：NOR Flash
　　存储器格式：扇区/块擦除
　　接口类型：SPI, QPI
　　时钟频率：104 MHz
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：8-SOIC
　　编程电压：3.3V
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　写入周期：100,000 次（典型值）
　　数据保持时间：20 年（典型值）
　　访问时间：8 ns
　　组织结构：16,777,216 x 8
　　最小指令周期：4 ns
　　休眠电流：1 μA（典型值）
　　工作电流：9 mA（读取，典型值）

S25FL128SAGMFV000具备多项先进特性，使其在同类NOR Flash产品中具有显著优势。
　　首先，该芯片采用了英飞凌独有的MirrorBit? Eclipse技术，这种创新的存储单元结构通过在氮化物层中存储电荷来实现非易失性数据保存，相较于传统浮栅技术，它具有更高的编程/擦除耐久性、更长的数据保持时间和更低的制造成本。每个存储单元可以承受高达10万次的擦写周期，在极端温度条件下仍能保证数据完整性，适合需要频繁更新固件或日志记录的应用场合。
　　其次，S25FL128S支持标准SPI和高速QPI（Quad Peripheral Interface）两种通信模式。在QPI模式下，数据传输速率可达每秒832 Mbps（104MHz × 8位），极大地提升了系统启动速度和代码执行效率，特别适用于XIP（Execute In Place）应用场景，如直接从闪存运行Bootloader或实时操作系统内核，从而减少对外部RAM的需求，优化整体系统成本。
　　再者，该器件提供灵活的块锁定机制和软件保护功能，用户可通过特定指令序列对任意扇区或块进行写保护，防止误操作或恶意篡改关键数据，增强系统安全性。同时支持一次性可编程（OTP）区域和安全寄存器，可用于存储加密密钥、设备序列号或其他敏感信息，进一步提升防伪和认证能力。
　　此外，S25FL128S集成了丰富的电源管理功能，包括自动进入低功耗模式、深度掉电模式（Deep Power-down Mode）等。在深度掉电模式下，电流消耗可降至1μA以下，非常适合用于电池供电或能量采集类物联网设备。器件还具备快速唤醒能力，从掉电状态恢复到正常工作仅需几微秒，不影响系统响应性能。
　　最后，该芯片符合工业级和汽车级可靠性标准，经过严格的老化测试和环境应力筛选，确保在复杂电磁干扰、高温高湿或机械振动环境下稳定运行。所有器件均无铅、无卤素，符合RoHS和REACH环保法规要求，适用于全球市场的出口产品设计。

S25FL128SAGMFV000广泛应用于多个高科技和工业领域。
　　在嵌入式系统中，它常被用作主控MCU的外部程序存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、固件映像或实时操作系统镜像，支持XIP模式直接执行，提升系统启动效率。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和光模块，该芯片用于存储配置文件、网络协议栈和诊断日志，其高速读取能力和高可靠性保障了设备的快速启动和稳定运行。
　　在工业自动化领域，该器件应用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中，用于存储控制逻辑、历史数据和校准参数，能够在宽温范围内长期稳定工作，适应工厂恶劣环境。
　　在汽车电子方面，S25FL128S可用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS辅助驾驶模块和远程信息处理单元（Telematics），存储地图数据、传感器固件或事件记录，满足AEC-Q100可靠性标准的部分等级要求。
　　此外，在物联网终端设备中，如智能电表、环境监测节点和无线传感器网络，该芯片凭借其低功耗特性和小封装尺寸，成为理想的本地数据缓存和程序存储解决方案，尤其适合需要长时间离线工作的边缘计算设备。

S25FL128LAGMFV010
　　S25FL129PAGMFV000
　　MT25QL128ABA1EW7
　　N25Q128A13ESC40F