型号：S25FL128LAGMFM010
　　制造商：Cypress / Infineon
　　容量：128 Mbit (16 MB)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-SOIC
　　接口类型：SPI, QPI
　　时钟频率：最高支持 104 MHz
　　读取带宽：支持单/双/四I/O模式
　　编程时间：典型值 0.7ms/页
　　擦除时间：扇区擦除 400ms，芯片擦除 35s
　　耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持：超过 20 年
　　写保护功能：软件和硬件保护，WP# 引脚支持
　　掉电模式电流：<15 μA（典型值）
　　待机电流：<10 mA（主动读取）

S25FL128LAGMFM010具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，它支持多种输入输出模式，包括标准SPI（Serial Peripheral Interface）以及高速的Quad I/O（四线SPI）和QPI（Quad Peripheral Interface）模式，显著提升了数据吞吐率。在QPI模式下，命令、地址和数据均可通过四条数据线并行传输，使等效时钟速率可达416 MHz，极大缩短了固件加载时间和系统启动延迟。其次，该芯片内置灵活的内存架构，包含多个可独立擦除的小型扇区（4 KB）和大型块（64 KB），允许精细粒度的数据管理，特别适合需要频繁更新小量数据的日志记录或参数存储场景。同时，其高效的页编程机制支持最多256字节连续写入，配合快速擦除算法，大幅提高了整体写入效率。
　　安全性方面，S25FL128LAGMFM010提供了多层次的写保护机制。用户可通过状态寄存器设置全芯片或特定区域的写保护，结合硬件WP#引脚实现物理级锁定，防止因电源波动或程序异常导致的关键数据误改写。此外，器件支持顶部和底部扇区锁定功能，允许将引导代码存放在固定位置并加以保护，增强系统的启动可靠性。为了优化功耗表现，该芯片配备了深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下静态电流可降至15μA以下，非常适合电池供电或低功耗设计的应用场合。另外，器件符合工业级和汽车级可靠性标准，具备高耐久性（10万次P/E循环）和长达20年以上的数据保持能力，确保长期稳定运行。所有这些特性共同构成了一个高效、安全、可靠的串行闪存解决方案。

S25FL128LAGMFM010广泛应用于各类需要高性能、高可靠性和紧凑封装的嵌入式系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC控制器、HMI人机界面设备和远程I/O模块中，用于存储固件程序、设备配置参数以及运行过程中的诊断日志信息。由于其支持宽温范围和抗干扰能力强，非常适合在工厂恶劣电磁环境中长期稳定运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机和光纤收发器，该芯片作为Boot Flash使用，存放启动代码和操作系统映像，利用其快速读取能力和QPI高速接口，实现毫秒级系统启动响应，提升设备可用性。
　　在汽车电子系统中，S25FL128LAGMFM010可用于ADAS辅助驾驶模块、车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制单元和ECU电子控制单元中，存储校准数据、传感器配置文件或地图缓存信息。其AEC-Q100认证版本满足车规级要求，可在发动机舱高温环境下可靠工作。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机和智能家居网关也普遍采用该器件进行固件存储和OTA升级数据缓冲。此外，在医疗设备、测试仪器和无人机控制系统中，该芯片因其高可靠性与低功耗特性，成为关键数据持久化存储的理想选择。总体而言，凡是需要从非易失性存储器中快速读取代码或频繁写入少量数据的场景，S25FL128LAGMFM010都能提供出色的性能保障。

S25FL128LAFMF000
　　IS25LP128
　　W25Q128JV
　　MT25QL128ABA
　　SST25VF016B