容量：64 Mbit (8 MB)
　　接口类型：SPI, Quad I/O
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高 133 MHz
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：20 年 @ 85°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　封装类型：8-WSON (5mm x 6mm)
　　写保护功能：软件与硬件写保护
　　休眠模式：支持深度掉电模式
　　JEDEC 标准兼容：是
　　存储架构：均匀扇区结构，每扇区 64 KB

S25FL064LABNFI011 具备多项先进特性，使其在同类串行闪存产品中表现出色。首先，该芯片采用 SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）电荷捕获工艺技术，相较于传统的浮栅技术，具有更低的编程电压、更高的耐久性和更长的数据保持能力。这种技术还使得芯片在制造过程中更加环保，并提升了整体可靠性。
　　其次，该器件支持多种读取模式，包括标准 SPI 输出以及快速读取模式下的 Dual 和 Quad I/O 操作。在 Quad I/O 模式下，通过四条数据线同时传输地址和数据，有效提升了传输速率，在 133 MHz 时钟频率下可实现高达 532 Mbps 的理论带宽，极大地缩短了代码加载时间和系统启动延迟，特别适合实时性要求高的应用场合。
　　第三，S25FL064LABNFI011 提供全面的写保护机制，包括软件写保护（通过状态寄存器设置）和硬件写保护（通过 WP# 引脚控制）。用户可以对整个芯片或特定区域进行锁定，防止误操作导致固件被破坏。此外，它支持按页编程（最多 256 字节/页）和多种擦除粒度（扇区擦除 64KB、块擦除 32KB/64KB 以及整片擦除），提供灵活的数据管理能力。
　　第四，该芯片具备优异的功耗管理性能。正常工作电流低于 9 mA，而在深度掉电模式下电流可低至 1 μA 以下，非常适合电池供电或对能效有严格要求的系统设计。同时，其快速唤醒时间（通常小于 30 μs）确保了从低功耗状态恢复时不会影响系统响应速度。
　　最后，S25FL064LABNFI011 符合 RoHS 和无卤素要求，支持工业级和扩展温度范围，具备良好的抗辐射和抗干扰能力，适用于高可靠性应用场景如工业自动化、车载信息娱乐系统和通信基础设施等。

S25FL064LABNFI011 被广泛应用于多个领域，尤其适用于需要高效、可靠非易失性存储的嵌入式系统。在工业控制系统中，它常被用作 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和传感器模块中的固件存储器，因其具备宽温特性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
　　在网络与通信设备中，该芯片用于路由器、交换机、基站和光模块中存储启动代码（Boot Code）、配置文件和操作系统镜像。其高速 Quad I/O 接口能够加快设备启动过程，提高系统可用性。在汽车电子领域，S25FL064LABNFI011 可用于仪表盘、ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器和车载信息娱乐系统（IVI），作为代码存储介质，满足 AEC-Q100 可靠性标准的要求。
　　在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、智能家居网关和物联网终端设备，该芯片用于存储应用程序代码和用户配置数据。其小尺寸 WSON 封装有助于节省 PCB 空间，适应紧凑型设计需求。此外，在医疗设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，该器件用于存储校准数据和操作日志，确保数据完整性与安全性。
　　由于其支持 JEDEC 标准命令集，S25FL064LABNFI011 易于与主流微控制器（MCU）和处理器集成，开发者无需额外开发底层驱动即可快速完成系统移植。结合其高耐久性和长期数据保持能力，该芯片成为众多嵌入式开发项目的首选串行 NOR Flash 解决方案之一。

S25FL064LAFNFI001
　　S25FL064LAGNFI011
　　S25FL127SAGNI000
　　MT25QL064ABA1EW7