时间：2025/12/25 18:47:14
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S252B681K302CT 是一款由 Vishay Precision Group (VPG) 旗下品牌 Sfernice 生产的高精度、高稳定性薄膜片式电阻器。该器件属于 S252 系列，专为需要长期稳定性和极低温度系数（TCR）的应用而设计。S252 系列电阻采用先进的薄膜沉积技术制造，基板材料通常为高纯度陶瓷，确保了优异的电气性能和机械稳定性。型号中的 'B' 表示其温度系数为 ±10 ppm/°C，'681K' 表示标称阻值为 681 kΩ，'302' 对应尺寸代码（与 2512 封装相当，即 6.3 mm × 3.1 mm），'C' 可能代表特定的端接或涂层类型，'T' 表示卷带包装。该电阻器广泛应用于精密测量仪器、医疗设备、工业控制、数据采集系统以及航空航天等对精度和可靠性要求极高的领域。由于其出色的负载寿命稳定性（Load Life Stability）和极低的长期漂移，S252B681K302CT 能够在长时间运行中保持阻值不变，减少系统校准频率，提高整体系统可靠性。此外，该器件具备良好的耐湿性和抗硫化能力，适合在恶劣环境中使用。
系列：S252
额定功率：0.5 W (降额使用)
标称阻值：681 kΩ
阻值公差：±1%
温度系数（TCR）：±10 ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
尺寸代码：302 (等效于 2512)
尺寸（长×宽×高）：约 6.3 mm × 3.1 mm × 0.55 mm
最大工作电压：200 V
耐压：500 Vrms
绝缘电阻：>10 GΩ
阻值范围：10 Ω 至 10 MΩ（具体依型号而定）
焊接方式：回流焊（符合 RoHS）
S252B681K302CT 的核心优势在于其卓越的长期稳定性和极低的温度系数（TCR）。该器件采用真空薄膜沉积工艺，在高纯度氧化铝陶瓷基板上形成镍铬（NiCr）或类似合金薄膜，并通过激光修调实现精确阻值匹配。这种制造工艺使得电阻层具有高度均匀性和致密性，显著降低了噪声、电感和电容效应，从而保证了在高频和高精度信号链中的优异表现。其 ±10 ppm/°C 的 TCR 意味着在 -55°C 到 +125°C 温度范围内，阻值变化极小，适用于需要温度补偿或高精度分压的电路。
该电阻器具备出色的负载寿命稳定性，在额定功率下工作 10,000 小时后，阻值漂移通常小于 ±0.1%，远优于普通厚膜电阻。这一特性使其成为精密参考电压源、桥式传感器接口、高分辨率 ADC/DAC 前端等应用的理想选择。此外，S252 系列经过严格的环境测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环和加速老化试验，确保在极端条件下仍能保持性能稳定。
结构上，S252B681K302CT 采用全密封端接设计，外层镀有镍阻挡层和锡涂层，有效防止湿气渗透和硫化腐蚀，提升了在工业和户外环境下的可靠性。其低热电动势（Thermal EMF）特性也减少了因温度梯度引起的微小电压误差，特别适合微弱信号检测系统。整体而言，这款电阻器代表了高端薄膜电阻的技术水平，是追求极致精度和可靠性的工程师首选元件之一。
S252B681K302CT 被广泛应用于对精度、稳定性和可靠性要求极为严苛的电子系统中。在精密测量仪器如数字万用表（DMM）、LCR 测试仪和校准设备中，它常用于构建高精度分压网络或反馈回路，确保测量结果的准确性和可重复性。在医疗电子设备，例如病人监护仪、心电图机（ECG）和血液分析仪中，该电阻用于信号调理电路，保障微弱生理信号的无失真放大与转换。
在工业自动化与过程控制领域，S252B681K302CT 用于 PLC 模拟输入模块、压力/温度变送器和高精度称重系统（如应变片电桥）中，提供稳定的参考和反馈路径。其优异的长期稳定性减少了定期校准的需求，降低了维护成本。在航空航天与国防系统中，该器件用于飞行控制系统、导航仪表和雷达信号处理单元，满足军用级环境适应性和寿命要求。
此外，在高端音频设备、高分辨率数据采集系统（DAQ）以及实验室级电源中，S252B681K302CT 也发挥着关键作用，尤其是在需要低噪声、低温度漂移和高线性度的场合。其抗硫化能力和耐湿性还使其适用于铁路交通、能源监控等暴露于复杂环境的应用场景。总之，任何需要“一次校准，长期可靠”特性的系统都可能采用此类高性能薄膜电阻。
S252B681K302CTR
SFR10FP681K
SR73P2ET681J
