类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：50V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：85mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-251

S251S-C50 MOSFET 具有多个关键特性，适用于多种高要求的电子应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 10V Vgs 下为 65mΩ，而在 4.5V Vgs 下则为 85mΩ，这意味着在不同的驱动电压下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。这一特性对于低电压电源管理电路尤为重要。
　　其次，该器件支持最大连续漏极电流为 4A，能够在中等功率负载下稳定工作。此外，其最大漏源电压为 50V，可适用于 12V 至 48V 的电源系统，包括电池管理系统、DC-DC 转换器和负载开关应用。
　　该 MOSFET 的栅源电压最大为 ±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可以与多种控制器或驱动 IC 配合使用，包括常见的 PWM 控制器或微控制器输出。同时，其快速的开关速度使其适用于高频开关应用，减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　采用 TO-251 封装形式，S251S-C50 在小型化设计的同时仍具备良好的散热性能，适用于空间受限但需要高效散热的 PCB 设计。这种封装也便于自动贴片装配，适合大批量生产应用。
　　此外，S251S-C50 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。其存储温度范围也较宽，适合各种运输和存储条件。

S251S-C50 MOSFET 主要应用于以下几个方面：
　　1. DC-DC 转换器：由于其低导通电阻和快速开关特性，S251S-C50 非常适合用于升压（Boost）、降压（Buck）或反相（Inverting）转换器中的高侧或低侧开关。
　　2. 电源管理系统：在电池供电设备、UPS 系统、电源适配器等场合，该器件可用于高效能的电源控制和负载切换。
　　3. 电机驱动和继电器控制：S251S-C50 可用于小型电机、电磁阀或继电器的驱动电路中，实现对负载的精确控制。
　　4. 工业自动化设备：在工业控制、PLC 和传感器系统中，该器件可用于数字输出模块、电源开关和隔离控制电路。
　　5. 通信设备：在路由器、交换机和基站电源模块中，该 MOSFET 可用于提供高效率、高频响应的电源转换和管理功能。

Si2302DS, FDN340P, AO3400A, IRF7404, NTD4859N