类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 40mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、DPAK

S24N03 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻 Rds(on) 显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件在 Vgs=10V 时能够提供高达 10A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用场景。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路。此外，S24N03 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并且具备较强的短时过载能力。
　　在封装方面，S24N03 提供 TO-220 和 DPAK 封装选项，TO-220 适用于需要良好散热性能的插件式设计，而 DPAK 则适用于表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性。
　　此外，S24N03 的结构设计使其具有较低的开关损耗，适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关控制。其高可靠性与耐用性也使其适用于工业自动化、电机驱动、电池管理系统等领域。

S24N03 主要应用于需要高效率功率开关的场合。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源管理模块以及工业自动化控制系统等。
　　在 DC-DC 转换器中，S24N03 可作为主开关或同步整流器使用，有效提高转换效率并降低功耗。在电机驱动中，该器件可作为 H 桥的上桥或下桥开关，提供快速响应和稳定输出。此外，S24N03 还广泛用于电源管理模块中，作为负载开关控制电源的通断，从而实现节能和过载保护功能。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，S24N03 也被广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统、车灯控制系统等。

IRFZ44N, FDPF4N30, IPD90N03S4-07, STP10NK50Z